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结晶学晶体缺陷.pdf

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结晶学晶体缺陷

第六章:晶体缺陷 § 6.1 空位、杂质和填隙原子 § 6.2 位错 § 6.3 表面、晶界、畴界 补充:光子晶体和超构材料 第六章:晶体缺陷 晶体缺陷是晶体中的原子对理想位置的静态偏离,包括平 衡 (固有)缺陷和非平衡缺陷 (冻结)缺陷。晶体的许多 性质,如力学性质、半导体性质、光学性质和一些化学性 质依赖于晶体缺陷,这类性质称为缺陷敏感性质,反之是 非缺陷敏感性质 (如密度、热容等)。 缺陷分类: 零维点缺陷:空位、填隙原子、杂质原子; 一维线缺陷:位错、点缺陷链; 二维面缺陷:表面、晶界、堆垛层错; 三维体缺陷:空洞、夹杂物、沉淀物。 第六章:晶体缺陷 § 6.1 空位、杂质和填隙原子 空位是晶体中未被占据的原子位置; 填隙原子是进入原子间隙位置的晶体组成原子; 杂质是进入晶体的异质原子。 空位和填隙原子是一对对立物: 空位和填隙原子相遇时可复合而消失; 进入间隙的原子会在原位置留下一个空位。 第六章:晶体缺陷 § 6.1 空位、杂质和填隙原子 点缺陷的平衡浓度: 点缺陷的形成会使内能增加,空位的形成能约为结合能的 一半,在1eV上下,而填隙原子的形成能则达到几个eV 。 但是,一定数目的点缺陷在很大数目的等价位置上的分布 组态还会使熵增大。 一个空位的形成是将晶体内的一个原子移到表面,让N个 原子占据N+1个位置,; 一个填隙原子的形成则是将一个表面原子塞入间隙,是让 一个原子占据N · n个间隙位置, N个原子的晶体中取出n个原子形成点缺陷的独立方式数 为: N ! Cn N   n! N n ! 相应的组态熵为: N ! n S k ln k n ln 0 n!N n! 0 N 自由能为: n F nE TS nE k nT ln 0 N 平衡浓度为: n   exp E k T 0 N 除了简单的空位和填隙原子,离子晶体中还存在着夫伦克 耳缺陷、肖脱基缺陷,及其对应物,它们都是缺陷对,是 局域电中性要求的结果,其平衡浓度为: n   exp E 2k T 0 N N 1 2 缺陷对的生成能 Frenkel缺陷对 Schottky缺陷对 反Schottky缺陷对 另外,代位式杂质原子也是一种点缺陷,它的形成能可能 比空位还低,因此少量杂质原子的存在在热力学上是有利 的,从而决定了晶体的极限纯度。

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