英飞凌IGBT参数中文版.pdf

英飞凌IGBT模块规格的正确理解 王浩 正确理解规格书 电流参数 电压参数 开关参数 二极管参数 热学参数 以 FF450R17ME3 为例 电流参数 额定电流（IC nom ） 内部是3个150A芯片并联，所以标称值为450A 可以用以下公式估算： T –T = V ·I ·R jmax C CEsat C nom thJC VCEsat 是IC nom 的函数，见规格书后图1，采用线性近似 VCEsat =(IC nom +287)/310 Tjmax =150℃,TC =80℃,RthJC =0.055K/W 计算得：IC nom =500A 估算的办法用于和竞争对手比较的情况，竞争对手 经常虚标电流，而IFX则留有余量 电流参数 脉冲电流（Icrm 和Irbsoa） Icrm 是可重复的开通脉冲电流（1ms仅是测试条件， 实际值取决于散热情况） Irbsoa 是IGBT可以关断的最大电流 所有模块的Icrm和Irbsoa都是2倍额定电流值 电流参数 短路电流ISC 短路条件:t10μs,Vge15V,RgRgnom(规格书 中的值)，Tj125 ℃ 短路坚固性 IGBT2为平面栅IGBT:5-8倍IC IGBT3/IGBT4为沟槽栅IGBT:4倍IC 电压参数 集电极-发射极阻断电压Vces 测量Vces 时，G/E两极必须短路 Vces为IGBT模块所能承受的最大电压，在任 何时候CE间电压都不能超过这一数值，否则将 造成去器件击穿损坏 Vces和短路电流ISC 一起构成了IGBT模块的安 全工作区：RBSOA图 电压参数 芯片能达到电压 模块能达到电压 由于模块内部寄生 电感△V=di/dt*Lin 在动态情况下，模块 耐压和芯片耐压有 所区别 电压参数 饱和压降VCEsat  IFX IGBT的VCEsat 随温 度的升高而增大，称为 VCEsat 具有正温度系数 ，利于芯片之间实现均 流 V 是I 的正向函数 CEsat C ，随增大而增大IC 电压参数 V