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薄膜制备技术 part 3 真空蒸镀 I 基本方法
第三章:真空蒸镀
第三章:真空蒸镀
真空蒸镀
薄膜沉积中的共性问题:超净室
镀膜中的气泡是影响膜的特性和附着强度的最大障碍
之一,灰尘是产生气泡的主要原因。。
超净室+超净真空室
超净真空室:除尘,抽气时防止产生湍流。
薄膜沉积中的共性问题:超净室
超净室,不能产生灰尘:
1、油封机械泵所排出的气体要接到室外;
2 、用无皮带的直连泵或将泵装在室外;
3 、用塑料纸张或使用不产生灰尘的纸;
4 、不能用铅笔;
百级超净室:测试一立方英尺/分钟,0.5
微米的尘小于100个
人体污染:呼出气体中颗粒的污染距离0.6-
1m,打喷嚏的污染距离4~5m 。主要是含有
矿物质和盐如钠,钙,铁,镁,氯,铝,
硫,钾,磷。
大气中的尘埃粒子及其大小范围
芯片特征尺寸和沾污控制
物理气相沉积
定义:
物理气相沉积(Physical vapor deposition )
是利用某种物理过程,如物质的热蒸发或在受到
粒子轰击时物质表面原子的溅射等现象,实现物
质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。
物理气相沉积
特点(与CVD相比)
(1) 需要使用固态的或者熔融态的物质作为蒸发源;
(2) 源物质经过物理过程而进入气相;
(3) 需要相对较低的气体压力环境;
a) 其它气体分子对于气相分子的散射作用较小,
b) 气相分子的运动路径近似为一条直线;
c) 气相分子在衬底上的沉积几率接近100 %。
(4) 在气相中及在衬底表面大多不发生化学反应。
真空蒸发原理
定义:
真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室
中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原
子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到基
片表面,凝结形成固态薄膜的方法。
真空蒸发原理
P≤10-6 Torr 薄膜形成 主要组成:
(1) 真空室;
(2) 蒸镀材料;
(3) 激活源;
(4) 衬底;
(5) 其它:加热
器、测温器等。
“s-g-s”
蒸发的基本过程
(1)蒸发过程:通过能量转移,凝聚相→气相
该阶段的主要作用因素:饱和蒸气压
(2 )输运过程:蒸气流在蒸发源与基片之间的飞行
该阶段的主要作用因素:分子平均自由程
(3 )淀积过程:在衬底表面,凝聚→成核→核生长→
连续薄膜。
蒸发的特点
(1) 优点: (2) 缺点:
成膜速度快0.1~50 μm/min; 薄膜附着力小;
设备比较简单,操作容易; 结晶度低;
薄膜生长机理较单纯; 台阶覆盖性差;
制得薄膜纯度高; 工艺重复性不够好;
膜厚可控性好; 薄膜质量不高。
用掩模可以获得清晰的图形。
饱和蒸气压
气体与蒸气
对于每一种气体都有一个特定的温度,高于此温度
时,气体不能通过等温压缩而液化,这个温度称为
该气体的临界温度。
温度高于临界温
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