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课件07-2电子缺陷态

半导体物理:第五章电子缺陷态 1. 引言 2. 费米分布 3. 载流子浓度 4. 内秉电导 5. 浅缺陷 6. 准费米能级 7. 深能级 8. 半导体中的氢 1 1. 引言 22 • 1立方厘米的半导体中有5.10 个原子,实际上不可能做到完全纯净。 12 13 -3 • 典型低浓度杂质:10 -10 cm -10 • 这个浓度相对于10 的纯度,约等于世界人口中有一个外星人。 • 在Si中,现代技术已经可以做到残余杂质的极低浓度,使得残余杂质 不影响物理性质。 • 另一方面,可控掺杂又是半导体技术不可缺少的手段。 15 20 -3 • 通常的掺杂浓度大约是10 -10 cm 。 2 2. 费米分布 • 费米-狄拉克分布: • 在费米能级,分布等于1/2。 • 对于一般温度和能级,见图(7.1)。 • 在极低温T=0,费米能级一下,分布为1;费米能级以上,为零。 • 经典极限,E-E 1,回到经典玻尔兹曼分布: F • 如果可以用玻尔兹曼分布,系统被认为是非简并的;但必须用上述 费米分布是,系统被认为是简并的。 3 4 3. 载流子浓度 • 一般讲,导带的电子密度为: • 相应地,价带空穴密度为: • 空穴分布函数为 ,有下式给出: • 如果有几个价带,都有相似的表达式。 • 假设是抛物能带,导带中的(每体积)态密度为: 5 3. 载流子浓度 • 如果玻尔兹曼分布近似不能用,即高温或窄带隙,需要下面的费米 积分: • 对于块体材料,n=1/2。 • 如果 ,有 ,即玻尔兹曼近 似。 • 对于大x1,有 • 对于一般情况,见下图(7.2): 6 7 3. 载流子浓度 • 费米积分的导数: • 对于n=0,即二维情况,费米积分可以精确积出: • 利用费米积分,可得如下载流子浓度表达式: • 其中的导带边和价带边载流子浓度为: 8 3. 载流子浓度

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