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课件07-2电子缺陷态
半导体物理:第五章电子缺陷态
1. 引言
2. 费米分布
3. 载流子浓度
4. 内秉电导
5. 浅缺陷
6. 准费米能级
7. 深能级
8. 半导体中的氢
1
1. 引言
22
• 1立方厘米的半导体中有5.10 个原子,实际上不可能做到完全纯净。
12 13 -3
• 典型低浓度杂质:10 -10 cm
-10
• 这个浓度相对于10 的纯度,约等于世界人口中有一个外星人。
• 在Si中,现代技术已经可以做到残余杂质的极低浓度,使得残余杂质
不影响物理性质。
• 另一方面,可控掺杂又是半导体技术不可缺少的手段。
15 20 -3
• 通常的掺杂浓度大约是10 -10 cm 。
2
2. 费米分布
• 费米-狄拉克分布:
• 在费米能级,分布等于1/2。
• 对于一般温度和能级,见图(7.1)。
• 在极低温T=0,费米能级一下,分布为1;费米能级以上,为零。
• 经典极限,E-E 1,回到经典玻尔兹曼分布:
F
• 如果可以用玻尔兹曼分布,系统被认为是非简并的;但必须用上述
费米分布是,系统被认为是简并的。
3
4
3. 载流子浓度
• 一般讲,导带的电子密度为:
• 相应地,价带空穴密度为:
• 空穴分布函数为 ,有下式给出:
• 如果有几个价带,都有相似的表达式。
• 假设是抛物能带,导带中的(每体积)态密度为:
5
3. 载流子浓度
• 如果玻尔兹曼分布近似不能用,即高温或窄带隙,需要下面的费米
积分:
• 对于块体材料,n=1/2。
• 如果 ,有 ,即玻尔兹曼近
似。
• 对于大x1,有
• 对于一般情况,见下图(7.2):
6
7
3. 载流子浓度
• 费米积分的导数:
• 对于n=0,即二维情况,费米积分可以精确积出:
• 利用费米积分,可得如下载流子浓度表达式:
• 其中的导带边和价带边载流子浓度为:
8
3. 载流子浓度
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