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DDR基础与应用 DDR基础与应用 概要 概要 一,几个概念 一,几个概念 二,DDR性能参数 二,DDR性能参数 三,DDR2/DDR3的新特性 三,DDR2/DDR3的新特性 四,PCB layout和改善good phase的方法 四,PCB layout和改善good phase的方法 几个概念 几个概念 1，BL 1，BL 2, DM 2, DM 3, DQS 3, DQS BL BL BL ,Burst Length,也称突发长度. BL ,Burst Length,也称突发长度. 突发是在早期SDRAM操作指在同一行中相邻的存 突发是在早期SDRAM操作指在同一行中相邻的存 储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉 储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉 及到的存储单元数量就是突发长度。 及到的存储单元数量就是突发长度。 BL越长，对连续的大数据量传输就越有好处，但 BL越长，对连续的大数据量传输就越有好处，但 是对零散的数据，BL太长反而会造成总线周期的 是对零散的数据，BL太长反而会造成总线周期的 浪费。 浪费。 BL=8 BL=8 DM DM DM, Data Mask，简称DM or DQM 在讲述读/写操作时，我们谈到了突发长度。如果BL=4， 那么也就是说一次就传送4bit 的数据。为了屏蔽不需要的 数据，人们采用了数据掩码DQM技术。通过DQM，内存 可以控制I/O端口取消哪些输出或输入的数据。在读取 时，被屏蔽的数据仍然会从存储体传出，只是在“掩码逻 辑单元”处被屏蔽。 每个信号针对一个字节。这样，对于4bit位宽芯片，两个 芯片共用一个DQM信号线，对于8bit位宽芯片，一个芯片 占用一个DQM信号，而对于16bit位宽芯片，则需要两个 DQM引脚。 SDRAM官方规定，在读取时DQM发出两个时钟周期后生 效，而在写入时，DQM与写入命令一样是立即成效。 DDR 只有写入DQM DM DM DM DM DQS DQS DQS ,数据选取脉冲 DQS是DDR SDRAM中的重要功能，它的功能主 要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输 周期，并便于接收方准确接收数据。每一颗芯片 都有一个DQS信号线，它是双向的，在写入时它 用来传送由主IC发来的DQS信号，读取时，则由 DDR生成DQS向主IC发送。 DQS 就是数据的同步信号。 DDR2/DDR3是差分信号。 DQS DDR 性能参数 DDR 性能参数 每个内存都会注明这三个参数值，大家应该很明显 看出有三个参数对内存的性能影响至关重要. tRCD, CL, tRP 。 其他参数：tRAS 其他参数：tRAS DDR read cycle DDR read cycle tRCD tRCD tRCD: ，在发送列读写命令时必须要与行有效命 tRCD: 令有一个间隔，这个间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay （RAS至CAS延迟）. 广义的tRCD 以时钟周期（tCK，Clock Time ）数 为单位，比如tRCD=2 ，就代表延迟周期为两个时 钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率 而定，对于DDR2-800，tRCD=5，所以 delay=2*5/80Mhz=12.5 nS 。 我们IC对应reg: 1209h[3:0]