《电工学》第9讲(纪11年).ppt

二极管电路分析举例 光电二极管的主要参数 1.暗电流 天光照时的反向电流.一般小于1μA. 2.光电流 在额定照度下的反向电流,一般几十毫安 3.灵敏度 指在给定波长的单位光功率时,光电管产生的电流, ≥0.5μA/μW 4.峰值波长:使光电管最高灵敏度的光波长 5.响应时间 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 　 C B E N 集电极C 发射极E 基极B N P P N 2. PNP型三极管 9.4.2 电流分配和放大原理 晶体管连接方式： 共发射极 共集电极 共基极 晶体管的工作状态有三种： 放大状态 饱和状态 截止状态 放大状态 发射结正偏，集电结反偏。 EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 输出 回路 输入 回路 公 共 端 EB RB IB 对于NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 三极管的电流控制原理 EB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB VCC RC VBB RB 由于基区很薄,掺杂浓度又很小,电子在基区扩散的数量 远远大于复合的数量。所以： IC IB 同样有: ? IC ? IB 所以说三极管具有电流控制作用,也称之为电流放大作用。 放大状态的特征： （1）IB的微小变化会引起Ic的较大变化 （2）IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (3) 0 UCE UCC , UCE= UCC-RCIC (4) 晶体管相当于通路 (2) 饱和状态： 发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V 饱和状态的特征： （1）IB增加时，Ic基本不变 （2） UCC ≈IC RC, IC 由UCC和RC决定 (4) 晶体管相当于短路 (3) UCE ≈0 (3) 截止区状态 发射结反偏，集电结反偏。 （1）基极电流 IB=0 ， （2） 集电极电流I C=ICEO ?0 （3）UBE 死区电压， （4） UCE=UCC (5) 晶体管相当于开路 截止状态的特征： IB UBE 0 UCE ≥ 1V 死区电压 1. 三极管的输入特性 IB = f (UBE ) UC E = 常数 9.4.3、特性曲线 IB =40μA IB =60μA UCE 0 IC IB增加 IB 减小 IB = 20μA IB = 常数 IC = f (UCE ) 2. 三极管的输出特性 IC / mA UCE /V 0 放 大 区 三极管输出特性上的三个工作区 IB= 0 μA 20μA 40 μA 截止区 饱和区 60 μA 80 μA IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 四、主要参数 1. 电流放大