RN8302B用户手册_v3.2.pdf

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RN8302B用户手册_v3.2

三相多功能防窃电计量芯片 RN8302B RN8302B 用户手册 日期:2011-6-20 初次发布 日期: 20 13-8-16 升级至版本: 2.2 日期:2013-12-25 升级至RN8302B (版本v3.0 ) 日期:2014-7-15 升级至RN8302B (版本v3.1 ) 日期:2014-12-31 升级至RN8302B (版本v3.2 ) 深圳市锐能微科技有限公司 第1 页 版本 3.1 三相多功能防窃电计量芯片 RN8302B V2.0 修订说明 修订点 修订说明 基准电压 1.温度系数由典型值25ppm/ ℃改为典型值5ppm/℃;2.增加基 准电压监测功能 有功误差Ib 点(50mV)跳动 改善为0.01% 视在功率和电能 增加PQS 视在功率和电能寄存器及其脉冲输出 功率因数 增加PQS 功率因数 采样波形缓存 增加同步波形采样功能 功率通道相位校正 增加功率通道相位分段校正功能 自动直流offset 校正 增加自动直流offset 校正功能 相位校正计算公式 增加功率因数角为30°台体的相位校正计算公式 功率相位校正方法 校表方法章节补充功率相位校正方法 NVM1 有效值 1.增加NVMCFG 寄存器中HPFOFF 寄存器位,并补充该位对 NVM1 有效值计算时间的影响。2.修改3.2.2 章节NVM1 有效 值公式。 V2.1 修订说明 修订点 修订说明 1.4 典型应用 图1.3①将U 通道电阻列分压电阻由1MΩ改为270K Ωx8 ;② DVCC 上增加10μF 和0.1 μF 电容,和表1-1 管脚功能说明一 致。 3.4.12 功率相位校正寄存器 改两处笔误,寄存器B10H 改为BAH ,寄存器B11H 改为BBH 5.5 SPI 读时序 改一处笔误,RN8302B 收到读命令后,在SCLK 的“上升沿” 将数据按位从SDO 引脚输出。原为“下降沿” V2.2 修订说明 修订点

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