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两路偏置电路分析和仿真报告 2014/4/11 本报告主要对常见的两路偏置电路进行了理论分析、参数设置和仿真验证，其中电路的 静态特性主要工作区域(饱和区和亚阈值区) 、静态电流和器件参数仿真分析，动态特性主要 包括环路增益和电源电压抑制比仿真分析。电路的仿真条件为： (1)、TSMC 0.35 工艺； (2)、电源电压VDD ：3.3V； (3)、工作温度：27 ℃； (4)、单一支路电流( 电流定义支路)：1 μA ，且L 均取3 μm； (5)、电阻R 类型统一； (6)、典型比值N ：4(MOS 管) ，8(PNP 管)； (7)、基本工艺参数： k -6 2 -6 2 n ≈214.6 ×10 A/V ，kn ≈88.0 ×10 A/V ， VTN ≈0.536V ，VTP ≈-0.736V； 两路偏置电路公式复用列表 VDD VDD VDD 1：1 1：1 M1 M2 M1 M2 1：1 M1 M2 M3 M4 M3 M4 M3 M4 1：1 1：1 1：N R M5 R 1：N Q1 Q2 R GND GND GND (a) (b) (c) 图1、常见的三种基本偏置结构 1、ΔVGS/R 型（强反型) 在图 1(a)中，M1 和M2 构成线性电流镜，用于定义两支路的电流比例关系，若M3 和 M4 均工作在强反型饱和区，则电流和电压满足平方率关系，且忽略M4 的衬底偏置效应， 推导可得支路电流表达式为 1 （） V 2 1 2 2 2 I = GS = 1 N 1 （ ） （  ） R k R 2 N k R 2 3