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半导体物理 刘恩科 第五章习题解答
第五章 非平衡载流子 （非平衡半导体）
−4 13 −3
τ × s ∆p cm
1. N −Ge 1 10 , 10
p
解： 13
∆p 10 17 3 1
10 − −
U τ 1×10−4 (cm s )
p
2. g
空穴在半导体内均匀产生，其产生率 p
解： 由空穴连续性方程，
2 ∂E
∂p ∂ p ∂p ∆p
µ µ
D =− E − p − +g
p 2 p p p
∂t ∂x ∂x ∂x τ
由于杂质均匀分布、体内没有电场、非平衡载流子均匀产生，所以，
2
∂p 0 0 ∂E D d ∆p 0
0 p 2
∂x ∂x dx
得到非平衡空穴所满足的方程，
∆
d p ∆p
g p −
dt τ
p
d ∆p
光照下，产生和复合达到稳定时， 0
dt
∆p
g p − 0
τ
p
达到稳定状态时的非平衡空穴浓度，
∆p τ g
p p
3. N −Si τ 1×10−6 s g 1022 cm−3s −1 ρ 1
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