半导体物理第七章半导体和金属的接触.pdf

第七章 金属和半导体的接触金属和半导体的接触 第七章第七章Part 1 7.1 M-S接触的势垒模型 7.2 M-S接触的整流理论 77.33 少数载流子的注入和欧姆接触少数载流子的注入和欧姆接触 前言 金属——半导体接触 由金属和半导体互相接触而形成的结构，简称M-S接触。 典型接触： 1、半导体掺杂浓度低，单向导电性——整流接触 肖特基势垒器件 22、半导体掺杂浓度高半导体掺杂浓度高，双向导电性双向导电性——欧姆接触欧姆接触 提供低阻互联提供低阻互联 7.1 M-S接触的势垒模型 一、功函数和电子亲和能 真空中静止电子的能量 金金 半半 属 导 体体 WW EE −EE W E −E S 0 FS m 0 Fm 电子亲和能电子亲和能 χ E0 −EC W χ + E S n 二、理想的M-S接触势垒模型 理想接触： ————在半导体表面不存在表面态在半导体表面不存在表面态 ——MM-SS之间没有绝缘层或绝缘层很薄的紧密接触之间没有绝缘层或绝缘层很薄的紧密接触 以金属和以金属和nn型半导体的接触为例型半导体的接触为例： 二、理想的M-S接触势垒模型 W W 1、 S m 电子系统在热平衡状态时应有统一的费米能级 EE0 E 0 χχ WW SS W m E C qq V EE DD n E qφns E EFm 电子转移 Fs En C EE EE