半导体课件第9章.pdf

下载文档 降价啦

3
0
约1.21万字
约 12页
2017-09-21 发布于湖北
举报
版权申诉
保障服务

半导体课件第9章.pdf

1、本文档共12页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

半导体课件第9章

第十一章异质结霍耳效应 11.1 异质结 11.2 霍耳效应 2/13 11.1 异质结1 11.1.1 异质结的分类同质结－由同种半导体单晶材料组成的结异质结－由不同种半导体单晶材料组成的结 p-nGe-Si 反型异质结 p-nGe-Si，n-pGe-GaAs 区分两种材料异质结禁带窄的写在前面的导电类型同型异质结 n-nGe-Si，p-pGe-GaAs 突变异质结区分两种材料异质结结界面处的过缓变异质结渡层厚度突变反型异质结突变同型异质结 3/13 11.1 异质结2 11.1.2 异质结的能带图不考虑界面态情况，突变反型异质结的能带图真空能级真空能级 qVD W χ2 χ1 W 2 χ1 W 凹口 1 E 1 尖峰 c 1 W χ ΔE 2 2 E c EF 2 E ΔE E c 1 Eg 1 δ1 δ2 Eg 2 E c 1 Eg 1 qVD 1 c qVD 2 Ec 1 F 1 F 1 E E E F 2 v 1 ΔE v 1 v E E v 2 ΔE g 2 v －能带弯曲，形成尖峰和凹口 E