常用电平介绍及相互转换.pdf

常用电平介绍以及相互之间的转换方案 现在常用的电平有 TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485， LVDS、 GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL 等，这里将对这些电平的特点，使用方法及相互转换方法来学习和讨 论。 1. Single-end 电平标准 常用的单端电平有 TTL, 3.3VLVTTL, 2.5VLVTTL, CMOS, 3.3VLVCMOS, 2.5VLVCMOS， SSTL, 它它 们的电气参数如附表： 電平名稱 Voh Vol Vih Vil Vcc TTL 2.4 0.4 2.0 0.8 5 2.5VLVTTL 2.0 0.2 1.7 0.7 2.5 3.3VVLVTTL 2.4 0.4 2.0 0.8 3.3 CMOS 4.44 0.5 3.5 1.5 5 2.5VLVCMOS 2 0.1 1.7 0.7 2.5 3.3VLVCMOS 2.4 0.5 2.0 0.8 3.3 SSTL 1.82 0.68 1.43 1.07 2.5 TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构 因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还 会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻； TTL电平输 入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用 1k 以下电阻下拉。TTL 输出不能驱动 CMOS 输入。 另外，I/O為OC門時，由於只能吸收大電流而不能向外部提供電流，需要外部上拉或者外部電 源。 CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS   1 / 17  . 相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS， 可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些 芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。 ( 1 ) CMOS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强 ( 2 )输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在 1 m A 之内。 ( 3 )当接长信号传输线时，在CMOS电路端接匹配电阻。 ( 4 )当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R = V 0 / 1 m A . V 0 是 外界电容上的电压。 ( 5 )CMOS的输入电流超过1 m A ，就有可能烧坏CMOS。 T T L 和 CMOS 电路比较： 1 、T T L 电