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第五章 技术磁化理论 5. 1 技术磁化过程的一般描述 5. 1 55.. 11 5. 2 动 过 5. 2 疇壁移 磁化 程 55.. 22 5. 3 5. 3 磁化矢量转动磁化过程 55.. 33 5. 4 多晶体在强磁场中的磁化曲线 5. 4 55.. 44 5. 5 5. 5 反磁化过程 55.. 55 5. 6 交变磁场下的磁化过程 5. 6 55.. 66 本章研究已经自发磁化后的强磁材料在外磁场中的行 为，与磁性材料的应用密切相关，重点在于从磁化机理上 寻找出控制、改善和提高磁性材料性能的途径。 5 6 5 6 参考：姜书第 、 两章 55 66 5. 1 技术磁化过程的一般描述 5. 1 55.. 11 材料的技术磁化过程可以用磁化曲线和磁滞回线来表征。 自发磁化后的材料没有外磁场作用时，一般处于退磁状态，不 同磁畴的自发磁化取向不同，在测量方向磁化强度平均为零。 M= ∑ M v cosθ = 0 S i i i 外磁场作用下磁畴结构发生变化，在磁场方向出现不为零的磁化 强度： M = ∑(M cosθδv + M vδ(sinθ) + v cosθδM ) ≠ 0 H S i i S i i i i S i 因此技术磁化过程存在着三种途径：畴壁移动过程；磁化矢量转动过 程； 顺磁磁化过程。技术磁化讨论的是前两个过程。从理论上说，只要了 解材料的磁畴结构及其在外磁场下的变化规律即可以给出其磁化曲线和磁 滞回线，然而由于磁畴结构的复杂性，目前只能在一些特定情形，计算出 理论曲线，但给出的启示却是有普遍意义的。 右图表示一个K 0的立方晶系材 1 料的单晶磁化过程，易轴是[100]， 磁畴有1800和900两类。当磁场加在 [100]方向，畴壁位移结束时，Ms在 [100]方向；当磁场加在[110]方向， 畴壁位移结束时，磁畴仍然存在着两 类磁畴，一类 M 在[100]方向，另一 s 类 M 在[010]方向。进一步磁化才发 s 生磁畴内磁化强度的转动过程。所以 金属与合金磁性材料在低场下一般是 畴壁移动过程为主，高场下才发生磁 化矢量的转动过程。氧化物磁性材料 则不同，