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新型中频感应烧结炉技术参数
新型中频感应烧结炉技术参数
一、设备组成
本设备主要由可控硅中频电源、氢气烧结炉和温度自动控制系
统等组成。各部分的组成如下:
1、可控硅中频电源由KGPS-250/2.5 250KW 2.5KHz 电源柜,电
热电容器柜,连接铜排,引擎机构组成;
2、烧结炉由罐体、感应器、氧化铝、氧化锆耐火材料、钨坩锅、
开启式回水箱、氢气/氮气流量调节阀控制板、台架组成;
3、温度自动控制系统推荐以下方式:
3.1、温度自动控制系统由光纤传感仪测温,由温度调节仪进行控
制,由记录仪进行加热温度的记录。
二、主要技术指标
1、内坩埚尺寸:φ400×750×16
2、内坩埚材料:钨
3、烧结最高温度:不小于2200℃
4、控温精度:±10℃
5、电源电压:380V、50Hz、三相四线制
6、工作频率:2500Hz
7、温度自动测量、显示、自动记录
8、炉内氢气保护、流量可调出口设排渣
9、具有过流、过压、缺相、水压不足、超温保护功能
10、设备数量 1台
一、 产品制造执行标准
1. JB/T8669-1997 《感应加热用半导体变频装置》
2. JB4086-85 《中频感应加热用电控设备技术条件》
3. GB10067.3-88 《电热设备基本技术条件—感应加热设备》
4.GB5959.3-88 《电热设备的安全—对感应和导电加热设备及感应
熔炼的特殊要求》
5.GB/T35859.3-93«半导体变流器、变压器和电抗器»
6. GB2681-81 电工成套装置中的导线颜色
7. GB3926-83 中频设备额定电压
四、设备使用条件
1.海拔高度不超过1000米;
2.现场相对湿度≤85%;
3.现场无导电尘埃,无腐蚀性气体,无强烈振动;
4.电源电压:380V±10%,50Hz;三相四线制;
5.电网的功率裕量 ≥320KVA ;三相不平衡度≤5%;
6.冷却水进水压力0.2--0.3Mpa, 进水温度 5℃≤ T ≤35℃;无
凝露.
7. 耗水量10立方/小时,冷却水可采用自循环软化水池冷却,循环
水池及冷却水泵、冷却塔由用户自备。
8.有管道氢气气源;有用于置换氢气的氮气气源;
五、 主要元器件清单:
根据250KW、2500Hz中频电源选择以下元器件:
1.整流可控硅 KP500A/1200V
2.逆变可控硅 KK500A/1600V ;
3.自动空气开关 DZ20-630A;
4.快速熔断器 500A/500V;
5.控制电路板 第五代全数字可编程逻辑阵列控制电路板
6.电源柜 GGD型前后双开门结构,外形尺寸为:
W*H*D=1000*800*2000mm
7.电热电容器 RFM2-0.75-1000-2.5S
8.光纤传感仪 GXW-215B
9.仪表控制元件:
9.1. 无纸记录仪
9.2.PID温度调节仪表 FP21-1(4)I006
六、设备分项技术说明:
1、可控硅中频电源:
根据贵公司技术要求,我方设计人员经过对感应器的反复核算
认为:中频电源功率选250KW、频率选2500HZ为宜,功率较大对
于高温区的快速提温较为有利;考虑到坩埚尺寸较高,故感应器较
高,通过增加感应器线圈的匝数,提高中频电源的输出电压,一方
面可以减少线路损耗,提高电效率,另一方面通过增加感应器的匝
数可以使炉内温度更加均匀;采用倍压型输出,即中频电源输出电
压为700-750V,通过电热电容器串联倍压,到达感应线圈的中频
电压为1400-1500V。
我公司针对贵公司实际生产的需要,在本套系统中设计使用在
国内具有先进水平的扫频式、恒功率、耐冲击、零压重复启动型中
频电源。其主要特点如下:
1.1 控制系统全数字化,无继电控制
控制系统采用ISP可编程逻辑阵列模板集成控制。其核心器件
采用美国生产的高性能、高密度、大规格专用ASIC-2集成电路。
使各种信号的运算处理及其相应动作的执行都按程序自动进行。用
数字控制系统代替各种继电控制回路所要完成的功能。
1.2 独特的扫描式启动方式,具有100%的启动成功率
逆变部分采用扫频式零压软启动方式,启动性能优与普通的零
压软启动
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