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浅析元器件可靠性 第三章 浅析工艺可靠性测试 1 3.1 设备介绍1 3.1.1 WLR 测试系统 1 3.2 项目介绍2 3.2.1 GOI 3 3.2.2 TDDB 8 3.2.3 HCI 9 3.2.4 Vt stability13 3.2.5 NBTI 14 3.2.6 EM 15 3.2.7 SM 20 注：本文件内容仅仅是个人学习总结，仅供参考，谢谢！ 第三章 浅析工艺可靠性测试 3.1 设备介绍 3.1.1 WLR 测试系统 PDQ-WLR 系统平台 软件：PDQ-WLR ，含WLR 测试程序 硬件：4070 系列测试机＋探针台、4062UX/E 测试机＋探针台 测试系统硬件主要包括： （1）HP C3600或以上的工作站 （2）HP 3458A multimeter万用表 （3）HP 4084B switching martix control开关矩阵控制器及矩阵开关 （4）HP 4142 Modular DC souce/montor，即SMU电源 （5）HP 4274A Multi－Frequence LCR meter，电容电感测试单元 其系统构成图及实体图如下： 1 注：本文件内容仅仅是个人学习总结，仅供参考，谢谢！ 3.2 项目介绍 序号 测试项目 全称 测试手段 测试目的 栅氧是 MOS 管的核心，相当 Gate Oxide Integrity 1 GOI WLR 于电脑的 CPU，GOI 测试是评 栅氧完整性 估栅氧非本征击穿行为。 Time Dependent 评估栅氧的本征击穿，并估计 2 TDDB Dielectric breakdown WLR/PLR 其使用寿命 经时击穿效应 Hot Carrier Induced 评估沟道热载流子及衬底热 3 HCI WLR/PLR 热载流子效应 载流子诱生的 MOS 器件退化 确认在 wafer 工艺中引入的离 Vt stability 4 Vt stability WLR/PLR 子污染水平不影响可靠性及 阈值电压稳定性 工艺参数控制 Negative Bias 评估阈值电压在栅压及