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一种基于纳米级cmos工艺的互连线串扰rlc解析模型-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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一种基于纳米级!#$ 工艺的互连线串扰
!# 解析模型!
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朱樟明 钱利波 杨银堂
（西安电子科技大学微电子研究所，西安 #$$#）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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基于纳米级 工艺，综合考虑电容耦合与电感耦合效应，提出了分布式 耦合互连解析模型 采用函数
)*+, -.) /
逼近理论与降阶技术，在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式 基于 和 工艺，对不同
/ $ ’0 12 )*+,
的互连耦合尺寸下的分布式 串扰解析模型和 仿真结果进行了比较，误差绝对值都在 内，能应用于
!# 345678 9 :
纳米级片上系统（ ）的电子设计自动化（ ）设计和集成电路优化设计
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关键词：纳米级 ，互连串扰，分布式， 解析模型
)*+, !#
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下，寄生电感因素对互连线串扰计算的影响还不是很
大 上述模型也都只是基于 串扰模型
#G 引 言 / !# /
当)*+, 集成电路工艺的特征器件尺寸缩小到
随着硅互补金属氧化物半导体（ ）集成电
)*+, $ 12 以后，寄生电感效应逐步增强，感性耦合成为
路工艺开始进入纳米级 )*+, 阶段，集成电路内部 了串扰噪声中不可忽略的因素，所以互连线模型必
互连线间的尺寸和距离不断减小，同时集成电路的 须采用电阻 电感 电容（ ）模型 文献［ — ］
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集成规模由专用集成电路正在转变为片上系统和片 引入了寄生电感建立互连线串绕模型，除了文献
上网络芯片，其所需要的时钟频率不断增加，所以由 ［ ］采用的工艺为 工艺，其他模型所采
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