第3章 太阳能电池及特性-2讲光生伏特效应.pdf

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第3章 太阳能电池及特性-2讲光生伏特效应

上一讲回顾 原子能级及能带理论; 本征半导体和掺杂半导体 ; 费米能级; 半导体的光学常数和光吸收; 作业: 为什么单晶硅(或多晶硅)太阳能电池是p-n结结构?还 有没有其他结构? 第3章太阳能电池及特性 3.1 半导体物理基础 3.2 太阳能电池 3.3 太阳能电池输出特性 §3.1 半导体物理基础 §3.1.6. p-n结 在大多数情况下,物质吸收入射光后,光子的能量使电子 跃迁到高能级,但是受激电子很快地回到基态 只能提高半导体的电导率-光电导,无法形成电势差 在太阳能电池的光伏效应中,内部的非对称结构p-n结 ( 内建电场),使电子在返回基态前,被输运到外部电路 受激电子得到的能量形成了电势差 §3.1.6 p-n结 p-n结及其能带图: P型 N型 PN结 E Cp E Cn E Vp E Vn p-n结的能带图及电荷分布图 §3.1.6 p-n结 p-n结内建电势差: 空间电荷区 qV D E Fn −E Fp P N xp xn kT N N 内建电场 电 V (ln D A ) 势 D 2 V q ni D 式中,N :P区掺杂浓度; 电 A 子 qVD N :N区掺杂浓度 势 D n :本征载流子浓度 能 i kT 能 0.026 V (T 300 K) qVD q 带 EC

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