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粒子探测技术第5章第5节
§5-5 半导体探测器的应用
一、优点:
• 能量线性好。
• 能量分辨高。
如对5.3MeV粒子,能量分辨E=10.8KeV(0.2%) ,超过电离室;
对1.33MeV射线,能量分辨E=1.3KeV(0.13%)超过NaI(Tl) ;
对5.9KeVx射线,能量分辨E=150eV(1.4%) ,超过正比计数器。
• 时间响应快,时间分辨好。脉冲上升时间短,ns量级,可用于时间
和快符合测量。
• 窗薄,死层小。可用于测量重带电粒子、核裂片和低能电子及X射
线。
• 灵敏区厚度可调。
• 结构简单、体积小,重量轻。易制成各种形状,满足多种要求。
• 对磁场(B10KG)不灵敏。宜于磁谱仪和加速器中使用。
2013/10/29 中国科大 汪晓莲 1
二、缺点:
• 灵敏体积不够大。包括面积和灵敏区厚度,测
量高能粒子有困难。
• 输出信号幅度小。常需要在低温下工作,要求
较高的电子学线路和低温装置。
• 对温度敏感。
• 抗辐照性能差。
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三、使用技术
•根据被测粒子的种类、能量、使用条件和所要解决的问题,选择半导
体探测器的类型、面积和灵敏区的厚度。
•选择合适的工作电压。一般说工作电压高了,漏电流大,高频噪声大,
且电压过高易造成探测器击穿,但脉冲上升时间快,能量分辨好。工
作电压太低,结电容大,低频噪声大。应选取合适的工作电压。注意
电压极性不能接错,半导体探测器工作在反向偏置状态。
•低温干燥保存和使用。如面垒型存放在干燥皿中,锂漂移型要低温下
加一定反向偏压保存,Ge(Li)必须在液氮温度下工作。
•保护探测器的窗。窗很薄,使用时必须小心,不用时加盖保护罩。
•加盖不透光的防护罩。半导体探测器对光灵敏,特别是金硅面垒型。
•为了降低噪声,作能谱测量的Si(Li)和Ge(li)探测器必须使用真空低温
装置。
•防止计数率过载。高计数率会造成基线漂移,使谱形畸变,能量分辨
率变差。
•电子学仪器要预热。高精度能谱测量,为防止多道的道漂,多道要预
热,必要时应使用稳谱仪稳谱。
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四、半导体探测器在高能物理实验中的应用
• 因为硅微条等新型半导体探测器的位置分辨率比气体探测
器、闪烁探测器的位置分辨率高一到两个数量级, 所以在近
十几年来, 世界各大高能物理实验室都采用它作为顶点探测
器。如美国的FERMI LAB 的CDF 和D0 实验, SLAC 实验
室的B 介子工厂的BaBar 实验, 欧洲高能物理中心CERN 的
LEP正负电子对撞机上的L 3、ALEPH、DELPHI、OPAL
和正在建造的质子-质子对撞机LHC 的ATLAS、CMS及
日本高能物理实验室KEK, 德国的HARA、HARAB 实验等
全采用了它。
• LHC 的ATLAS、CMS采用硅微条探测器代替漂移室作径
迹测量。
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1. D0顶点探测器
F -Disk
桶部
H -Disk
美国费米实验室D0 实验采用硅微条探测器作顶点探测器。
为了增大覆盖立体角, 除了桶部设计得比较长外, 还设计了
H -DISK 和F -DISK 。这个顶点探测器所用的硅微条探
测器都是用交流耦合输出的, 其桶部是采用单边读出的硅
微
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