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1-1 思考题 1-1 思考题 11--11 思思考考题题 1-1-1.典型PN结隔离工艺与分立器件NPN管制造工艺有什么不同（增加了哪些主 1-1-1.典型PN结隔离工艺与分立器件NPN管制造工艺有什么不同（增加了哪些主 11--11--11..典典型型PPNN结结隔隔离离工工艺艺与与分分立立器器件件NNPPNN管管制制造造工工艺艺有有什什么么不不同同（（增增加加了了哪哪些些主主 要工序）？ 要工序）？ 要要工工序序））？？ 增加工序的的目的是什么？ 增加工序的的目的是什么？ 增增加加工工序序的的的的目目的的是是什什么么？？ 答： 答： 答答：：分立器件NPN管制造工艺：外延→一氧→一次光刻→B掺杂→二氧→二次光刻 →P掺杂→三氧→三次光刻→金属化→四次光刻。 典型PN结隔离工艺：氧化→埋层光刻→埋层扩散→外延→二氧→隔离光刻→ 隔离扩散、推进（氧化）→基区光刻→基区扩散、再分 布（氧化）→发射区光刻→发射区扩散、氧化→引线孔 光刻→淀积金属→反刻金属→淀积钝化层→光刻压焊 点→合金化及后工序。 增加的主要工序：埋层的光刻及扩散、隔离墙的光刻及扩散。 目的：埋层：1、减小串联电阻；2、减小寄生PNP晶体管的影响。 隔离墙：将N型外延层隔离成若干个“岛”，并且岛与岛间形成两个背 靠背的反偏二极管，从而实现PN结隔离。 1-1-2.NPN管的电极是如何引出的？集电极引出有什么特殊要求？ 1-1-2.NPN管的电极是如何引出的？集电极引出有什么特殊要求？ 11--11--22..NNPPNN管管的的电电极极是是如如何何引引出出的的？？集集电电极极引引出出有有什什么么特特殊殊要要求求？？ 答： 答： 答答：：集成电路中的各个电极均从上表面引出。要求：形成欧姆接触电极：金属与 参杂浓度较低的外延层相接触易形成整流接触（金半接触势垒二极管）。因 此，外延层电极引出处应增加浓扩散。 1-1-3.典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩 1-1-3.典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩 11--11--33..典典型型PPNN结结隔隔离离工工艺艺中中隔隔离离扩扩散散为为什什么么放放在在基基区区扩扩散散之之前前而而不不放放在在基基区区扩扩 散或发射区扩散之后？ 散或发射区扩散之后？ 散散或或发发射射区区扩扩散散之之后后？？ 答： 答： 答答：：由于隔离扩散深度较深，基区扩散深度相对较浅。放在基区扩散之前，以防 后工序对隔离扩散区产生影响。 1-1 作业 1-1 作业 11--11 作作业业 1-1-1.典型PN结隔离工艺中器件之间是如何实现隔离的？ 1-1-1.典型PN结隔离工艺中器件之间是如何实现隔离的？ 11--11--11..典典型型PPNN结结隔隔离离工工艺艺中中器器件件之之间间是是如如何何实实现现隔隔离离的的？？ 答： 答： 答答：：在N型外延层中进行隔离扩散，并且扩穿外延层，与P型衬底连通，从而将N 型外延层划分为若干个“岛”；同时，将隔离区接最低电位，使岛与岛之间 形成两个背靠背的反偏二极管，从而岛与岛互不干涉、互不影响。通过以上 两点实现了器件间的隔离。 1-1-2. 设典型PN结隔离工艺允许的最小线宽、外延层的厚度和各相关图形间的 1-1-2. 设典型PN结隔离工艺允许的最小线宽、外延层的厚度和各相关图形间的 11--11--22.. 设设典典型型PPNN结结隔隔离离工工艺艺允允许许的的最最小小线线宽宽、、外外延延层层的的厚厚度度和和各各相相关关图图形形间间的的 间距都为W，画出最小面积NPN晶体管图形和剖面结构图，并分别估算W为1μm 和 间距都为W，画出最小面积NPN晶体管图形和剖面结构图，并分别估算W为1μm 和 间间距距都都为为WW，，画画出出最最小小面面积积NNPPNN晶晶体体管管图图形形和和剖剖面面结结构构图图，，并并分分别别估估算算WW为为11μμmm 和和 0.5μm时，在1cm2的芯片面积上可以制作多少各这种相互隔离的最小面积晶体 0.5μm时，在1cm2的芯片面积上可以制作多少各这种相互隔离的最小面积晶体 00..55μμmm时时，，在在11ccmm22的的芯芯片片面面积积上上可可以以制制作