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华南理工大学期末考试
《电力电子技术基础》试卷
注意事项:1. 考前请将密封线内填写清楚;
2. 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上);
3.考试形式:闭卷;
4. 本试卷共 大题,满分100分, 考试时间120分钟。
题 号 一 二 三 四 五 总分 得 分 评卷人
选择题(单选,共10分)
1.关于绝缘栅双极型晶体管(IGBT),下面说法错误的是( A )
A.IGBT相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大
B.IGBT是由MOSFET和GTR复合而制成的
C.IGBT工作在开关状态时,是在正向阻断区和饱和区之间转换
D.开关频率介于GTR和MOSFET之间
2.三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,其移相范围是( C )
A.90° B.120° C.150° D.180°
3.单相桥式全控整流电路中,由于变压器漏感造成的换流压降为( A )
A. B.
C. D.
4.下列电路中,不可以实现有源逆变的是( B )
A.单相双半波可控整流电路 B.单相桥式半控整流电路
C.单相桥式全控整流电路 D.三相桥式全控整流电路
5.下列可控整流电路中,输出电压谐波含量最少的是( D )
A.三相半波 B.单相双半波 C.三相桥式 D.十二相整流
6.电压型逆变电路的特点不包含( A )
A.直流侧接大电感 B.交流侧电流接正弦波
C.直流侧电压无脉动 D.直流侧电流有脉动
7.斩波电路实现调压的方法是 ( C )
A.改变开关频率 B.改变开关周期 C.改变占空比 D.改变负载电流
8.三相桥式全控整流电路,阻感负载,采用同步信号为锯齿波的触发电路,同步信号正弦波落后于加于晶闸管的相电压( C )
A.90o B.120o C.180o D.240o
9.交-交变频电路的最高工作频率为( B)
A.电源频率的2倍到3倍 B. 电源频率的倍到倍
C.和电源频率相同 D.电源频率的整数倍
10.SPWM的电路基波是 ( A ) A. B. C. D. 时,输出电压平均值约为85V。…………………………………………………………………………( T ) ,电阻性负载,设控制角,则输出电压Ud= 82.73V 。
3.设DC-DC变换器的Boost电路中,,D=0.7,则= 33.3 。
4.单相双半波(又称单相全波)可控整流电路,如图1所示,该变压器 直流磁化问题(填有无),在电阻性负载时,晶闸管承受的最大正向电压为 ,最大反向电压为 。
5.在电力电子电路中,常设缓冲电路,其作用是 。
四.计算题(共35分)
1.三相全控桥式整流电路,电阻性负载,,,求时,,和的值,并画出电压的波形和通过的电流波形。(20分)
(,)
图2(a) 图2(b)
2.三相桥式有源逆变电路,反电动势阻感负载,,,,。当,时,求考虑漏感时,,和的数值,此时送回电网的平均功率是多少?(15分)
(,,)
五、分析说明题(共30分)
1.图3为交直交单相桥式电压型逆变电路,(1)画出4个IGBT栅极信号波形、负载电压uo波形、负载电流io波形;(2)结合波形分析电路工作过程。(15分)
2. 图4所示为同步信号为锯齿波的晶闸管触发电路,(1)说明电路有几个环节;(2)在图5中画出Q点电压波形和V3发射极电压波形,(3)分析锯齿波形成的原理(15分)
06~07学年《 电力电子技术基础B卷》参考答案
选择题
1. A 2. C 3. A 4. B 5. D
6. A 7. C 8. C 9. B 10. A
二.判断题
1. √ 2. √ 3. × 4. √ 5. √
6. √ 7. √ 8. × 9. √ 10. √
三.填空题
1.调制比,调制波频率,载波频率
2.82.73V
3.33.3V
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