《宽禁带半导体发光材料》2.1氮化物材料的性质2.pdf

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《宽禁带半导体发光材料》2.1氮化物材料的性质2

大纲 2.1.1 概述 2.1.2 晶体及能带结构 2.1.3 氮化物缺陷 2.1.4 氮化物极性 2.1.5 化学性质 2.1.6 光学性质 2.1.7 接触特性 2 2.1.4 GaN的极性 3 GaN中的极性、半极性及非极性面 4 GaN中的极性、半极性及非极性面 非极性面GaN表面形貌 6 非极性a面GaN(11-20)表面形貌 7 非极性/半极性GaN生长技术 8 GaN grown in non-polar direction • Advantages no polarization fields along the growth direction no quantum confinement stark effect Potential for high internal quantum efficiency 10 c面,极性 a面,非极性 半极性 11 1011 (2008 ) GaN材料的极性 Ga面极性(常见) N面极性 •在GaN结构中,每一个Ga或者N都与四个N或Ga原子相连 •Ga极性面——Ga原子一个键朝上,三个键朝下(一个悬挂键) •N极性面——N原子一个键朝上,三个键朝下(三个悬挂键) •N极性表面悬挂键是Ga极性表面悬挂键的3倍 •N面更活泼,N极性面很容易被碱溶液腐蚀(抛光/剥离) •Ga面很难被腐蚀,只在熔融的KOH或热的浓磷酸中选择性腐蚀(位错) N极性和Ga极性GaN的区别 Ga极性 N极性 表面形貌 光亮 粗糙 主要缺陷 位错和纳米管 小的反筹 位错和纳米管 表面电荷 负 正 化学稳定性 抗腐蚀 易腐蚀 表面重构 1

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