清华大学电子电路第九讲.pdf

本周5习题课在明理楼112 5月5 日（周日调上周5的课）晚上，需不需要做一个期中考前复习？需要则借教室 5月11 日（周6 ）上午期中考试 电子电路与系统基础 理论课第九讲 分段折线法：MOSFET 电流镜、反相器电路 李国林 闻和 清华大学电子工程系 MOSFET电流镜、反相器电路 大纲 • MOSFET的分段折线电路模型 – 晶体管结构 – 伏安特性 – 分段折线 • MOSFET电流源 – 电流镜 • MOSFET反相器 – NMOS反相器 – CMOS反相器 李国林 电子电路与系统基础 清华大学电子工程系 2013年春季 2 D D NMOSFET结构 G G B • Metal-Oxide- S S Semiconductor Field-Effect Transistor 源极 栅极 漏极 – 金属-氧化物-半 Source Gate Drain 导体结构的场效 应晶体管 Metal – Transistor: Oxide Semiconductor Transfer Resistor N N • 晶体管，转移 电阻器 P • 受控的非线性 电阻 N-Channel 衬底 Bulk NMOSFET 李国林 电子电路与系统基础 清华大学电子工程系 2013年春季 3 W L 源极 栅极 漏极