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现代半导体器件第二十一讲
现代半导体器件
刘 飞
Tel
Email：liufei@mail.sysu.edu.cn
中山大学理工学院
第五章 结型场效应晶体管
5.1 JFET 结构与工作原理
5.2 MESFET
5.3 JFET 直流特性
5.4 直流特性的非理想效应
5.5 JFET 交流小信号特性
上一节 回忆
(1)试简述弱场下大注入所引起的有效基区扩展效应？
其中弱场指的是什么？
(2)什么叫做发射极电流集边效应？试对这个效应物理
过程作简单解释？
(3)集电极最大I 的定义是什么？实际应用怎样选取I ？
CM CM
(4)晶体管的安全工作区是如何规定的？二次击穿对其
有何影响？
5.5 JFET交流小信号效应
一、JFET低频小信号参数
1. JFET低频小信号输入下的基本假设：
(1)采取准静态近似:将交流下I－V关系用直流关系处理;
(2)忽略电荷的储存效应:小信号下,端电压变化《kT/q。
2. 跨导gm ：
(1) g 的定义：V 一定时，I 随V 的变化率；
m DS DS GS
∂I
(2) 表达式： DS ；
g m
∂V
GS V
DS
(3)物理意义:a.g 反映栅极电压对漏极电流的控制能力;
m
b.gm称为JFET的增益。
5.5 JFET交流小信号效应
(4)g 的具体求解过程：
m
G
0 ( )
V V +gV − V − V −
m DS D GS D GS
V
p 0
a. 线性区中：即V 很小时，(V 《V－V )
DS DS D GS
G V
0 DS
g m1
2 ( V V ) V −
p D GS0 ⎡V V − ⎤
D GS
g G − ⎢1 ⎥
b. 饱和区中: 即发生夹断之后 ms 0
⎢ V ⎥
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