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电力电子及电力补偿电容器
伟华电子 MKP81A IGBT吸收电容器(插片式)
WEIHUATRONIC
外型图Outine Drawing
姻特点 姻 Features
●广泛应用于高压高频脉冲电路中 ●Widelyusedinhighvoltage,highfrenquencycircuit
●损耗小,内部温升小 ●Lowlossandsmallinherenttemperaturerise
●优异的阻燃性能 ●Exellentactiveandpassiveflameresistantcircuit
●适合作为IGBT的吸收电容 ●Epeciallydesignedassnubbercapacitorfor1GBT
姻技术要求Specifications
引用标准ReferenceStandard IEC61071
气候类别ClimaticCategory 40/85/21
额定温度 RatedTemperature 85℃
工作温度范围OperatingTemperatureRange -40℃~85℃
额定电压 RatedVoltage 630V~2500V
电容量范围CapacitanceRange 0.047μF~9μF
电容量偏差CapacitanceTolerance ±5%(J),±10%(K)
耐电压VoltageProof 1.6UR(10s)
损耗角正切DissipationFactor ≤0.0005,(1kHz,20℃)
≥100000MΩ,CR≤0.33μF
绝缘电阻InsulationResistance (20℃,100V,1min)
≥30000s, CR>0.33μF
注Note:
1.本公司生产的MKP81型高压电容器主要的引出方式为“引线式和焊片式,如需其它的容量规格和外型尺寸,请另外协商。
Theterminalleadsstyleoftype-MKP81mainlyarewiresandweidingtabs.Othercapacitanceanddimensioncanbe
providedonrequestofcustomers.
2.本公司所用焊片的尺寸参见外形图
Dimensionoftabpieaserefertooutingdrawing.
MKP81A IGBT吸收电容器(插片式) 伟华电子
WEIHUATRONIC
姻外形尺寸 Dimensions(mm)
630Vdc/700Vdc(420Vac)
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