MOSFET三2014.pdf

半导体器件物理 Q C V V  inv ox g T 半导体器件物理 频率特性 DC平衡 AC平衡 DC平衡 AC非平衡 DC非平衡 AC非平衡 半导体器件物理 MOS 电容的频率特性 MOSFET能否在高频下工作？ ！！频率关系只有在MOS 电容中有效！！ 利用MOS 电容测量少子寿命或产生时间 半导体器件物理 MOSFET （一） 半导体器件物理 MOSFET器件结构 半导体器件物理 MOSFET的结构 电极及区域划分： – 从高质量的栅氧化层上引出的电极： • 栅极（Gate）G – 从源区和漏区上引出的电极 • 源极（Source）S 漏极（Drain）D – 从衬底引出的电极 • 衬底极（Bulk or Substrate）B – 区域划分： • 有源区——源区、漏区和栅区 • 场区——有源区以外的区域 半导体器件物理 工作原理 • 载流子运动方向：S→D • 电压： – 电极上的电位：V ，V ，V ，V G S D B – 栅源电压：VGS 漏源电压：VDS – 衬偏电压：VBS • 电流： – 漏极电流：ID （流入为正） – 栅极电流：IG （直流时≈0） – 衬底极电流：IB （≈0） 半导体器件物理 MOSFET 的工作过程及I －V特性 I DS V －V G t 饱和 亚 阈 线性 V t 半导体器件物理 类型 1、n沟和p沟 –按沟道载流子的类型来划分 • nMOSFET ：电子导电