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MOSFET基础结构-CV特性
第十一章 金属-氧化物-半导体
场效应晶体管基础
11.1 双端MOS结构
n 11.1.1 能带图
n 11.1.2 耗尽层厚度
n 11.1.3 功函数差
n 11.1.4 平带电压
n 11.1.5 阈值电压
n 11.1.6 电荷分布
11.1 MOS 电容 MOS 电容结构
Al或高掺杂的
多晶Si
氧化层介电常数
SiO2
氧化层厚度
n型Si或p型Si
实际的铝线-氧化层-半导体
（M:约10000A O:250A S:约0.5~1mm）
11.1 MOS 电容 表面能带图:p型衬底(1)
负栅压情形
导带底能级
禁带中心能级
E E
FS v 费米能级
E E
FS v 价带顶能级
11.1 MOS 电容 表面能带图:p型衬底(2)
小的正栅压情形
(耗尽层) E E
FS v
大的正栅压情形 E E
FS Fi
X
dT
E E
(反型层+耗尽层) FS v
E E
FS Fi
11.1 MOS 电容 表面能带图:n型衬底(1)
正栅压情形
E E
FS c
E E
FS C
11.1 MOS 电容 表面能带图:n型衬底(2)
小的负栅压情形
n型
E E
(耗尽层)
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