场效应管的区别和原理.pdf

场效应管放大电路 场效应管放大电路 场效应管 场效应晶体三极管是由一 种载流子导电的、用输入电压控 按照场效应三极 制输出电流的半导体器件。从参 管的结构划分，有结 与导电的载流子来划分，它有自 型场效应管和绝缘栅 由电子导电的N沟道器件和空穴 型场效应管两大类。 导电的P沟道器件。 结型场效应管 1.结构 2.工作原理 N 沟道 N沟道场效应管工作时， PN结 在栅极与源极之间加负 V 0 电压， 栅极与沟道 GS 之间的PN结为反偏， i ≈0， G R Ω107 。 i 在漏极、源极之间加 V 0 正电压， 使N沟道 DS 中的多数载流子( 电子) P沟道场效应管工作 在电场的作用下由源极 时，极性相反，沟道中 向漏极运动，形成iD 。iD 的多子为空穴。 的大小受VGS 的控制。 ①栅源电压V 对i 的控制作用 GS D 当V ＜0时，PN结反 GS 偏，耗尽层变厚，沟 道变窄，沟道电阻变 大，ID减小； V 更负，沟道更 GS 窄，ID更小；直至沟 道被耗尽层全部覆 盖，沟道被夹断， I ≈0 。这时所对应的 D 栅源电压V 称为夹 GS 断电压V 。 P ②漏源电压V 对i 的影响 DS D 在栅源间加电压V ＞V ，漏 GS P 源间加电压V 。则因漏端耗尽 DS 层所受的反偏电压为V = V - GD GS VDS ，比源端耗尽层所受的反偏电 压V 大,(如:V =-2V, V =3V, GS GS DS V =-9V,则漏端耗尽层受反偏电 P 压为-5V，源端耗尽层受反偏电 压为-2V),使靠近漏端的耗尽层 比源端厚，沟道比源端窄，故 当V 继续增加时，预夹断点向源 V 对沟道的影响是不均匀的， DS DS 极方向伸长为预夹断区。由于预夹 使沟道呈楔形。 断区电阻很大，使V 降落在该 随V 增大，这种不均匀 DS DS 区，由此产生的强电场力把未夹断