数字电路第三章-02-2009.pdf

数字电路与系统 第三章 习题 （第五版教科书） 数字电路与系统 3.11；3.12；3.1； 数字电路与系统 3.21；3.16；3.17；3.18；3.13 第三章、门电路（2） 3.20；3.7-(a,b,c)；3.29；3.28 第三章、门电路（2） 2009-10-20 1 北航· 电子信息工程学院 2009-10-20 2 数字电路与系统 数字电路与系统 3.3 CMOS门电路 MOS管工作原理 • 在漏极和源极加电压V ，如果栅极 3.3.1 MOS管的开关特性 DS 和源极之间的电压VGS=0，由于源极漏 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 极之间相当于两个PN 节背向相连，电 一、MOS管结构 阻很大，所以DS 不导通，iD =0 • 当VGS大于某个电压值VGS （th ）时，电 子被吸引到栅极下面的衬底表面，形 成了N型反型层，构成了DS之间的导 电沟道，当外加电压时，DS 间将有电 S (Source)：源极 流形成 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 • VGS （th ）称为开启电压 N沟道增强型 符号 B (Substrate):衬底 • 为防止漏极电流直接流入衬底，常 在P型半导体衬底上制作2个高掺杂浓度的N型区， 将衬底与源极相连 形成MOS管的源极和漏极，第三个电极为栅极 北航· 电子信息工程学院