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模拟电子技术-05场效应管放大电路
5.1 金属-氧化物-半导体（MOS ）场效应管
5.2 MOSFET放大电路
5.3 结型场效应管（JFET ）
*5.4 砷化镓金属-半导体场效应管
5.5 各种放大器件电路性能比较
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主要内容
·金属-氧化物-半导体（MOS ）场效应管结构及工作原理
·MOSFET 放大电路
基本要求
·了解MOS 场效应管的工作原理、特性曲线及主要参数
·掌握用小信号模型分析法分析MOSFET 放大电路的动态
指标
·了解双极型三极管（BJT ）和场效应管两种放大电路各自
的特点
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5.1 金属-氧化物-半导体
（MOS ）场效应管
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET
5.1.3 P沟道MOSFET
5.1.4 沟道长度调制效应
5.1.5 MOSFET的主要参数
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三端放大器件：
BJT （Bipolar Junction Transistor) 双极结型三极管
电流控制电流
FET （Field Effect Transistor)场效应管 （单极型器件，多子导电 ）
电压控制电流
MOSFET(FET Metal-Oxide-Semiconductor)
金属-氧化物-半导体场效应管
JFET(Junction FET ）结型场效应管
MESFET （Metal-Semiconductor FET ）
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•一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件
•是仅由一种载流子参与导电的半导体器件
•从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流
子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。
一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多
少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极
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与半导体之间是绝缘的，其电阻大于10 Ω。
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场效应管的分类： N沟道
增强型 （电子型）
MOSFET （E型） P沟道
（空穴型）
(IGFET) N沟道
FET
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