模拟集成电路设计ch2 MOS器件物理基础.pdf

Design of Analog CMOS Integrated Circuits 第2章 MOS器件物理基础 主讲：魏广芬 职称：副教授 山东工商学院信电学院 Ch. 2 # 1 Design of Analog CMOS Integrated Circuits 主要内容 2.1 基本概念 2.2 MOS的I/V特性 2.3 二级效应 2.4 MOS器件模型 Ch. 2 # 2 Design of Analog CMOS Integrated Circuits 2.1.1 MOSFET开关 Drain VG ？器件导通 器件导通或断开时源和漏间的 Gate 电阻多大？ 该电阻和VG ，VDS 的关系怎样？ Source N型MOSFET 栅（G ），源（S），漏（D ）。对称器件 作为开关 V 高电平，源-漏端通 G V 低电平，源-漏端开 G Ch. 2 # 3 Design of Analog CMOS Integrated Circuits 2.1.2 MOSFET的结构 栅宽 Ch. 2 # 4 Design of Analog CMOS Integrated Circuits 2.1.2 MOSFET的结构 氧化层厚度 t OX Ldrawn ：沟道总长度 LD ：横向扩散长度 Leff ：沟道有效长度，Leff ＝Ldrawn －2 LD 衬底（bulk、body ） 氧化层上面的多晶硅区，长Ldrawn ，宽W Leff和tOX对MOS 电路性能起着非常重要的作用 Ch. 2 # 5 Design of Analog CMOS Integrated Circuits MOS管正常工作的基本条件 寄生二极管 B MOSFET是四端器件！！！ MOS管正常工作的基本条件是: 所有衬源（B、S）、衬漏 （B、D ）pn结必须反偏（或者零偏）！ Ch. 2 # 6 Design of Analog CMOS Integra