模电_电子线路线性部分第五版_主编_冯军_谢嘉奎第三章课件.pdf

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2017-10-07 发布于湖北
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模电_电子线路线性部分第五版_主编_冯军_谢嘉奎第三章课件

第 3 章　场效应管概　述 3.1 MOS 场效应管 3.2 结型场效应管 3.3 场效管应用原理第 3 章　场效应管概述　　场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。 MOS 场效应管场效应管分类：结型场效应管场效应管与三极管主要区别： • 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 • 场效应管是单极型器件 (三极管是双极型器件)。第 3 章　场效应管 3.1　MOS 场效应管 N 沟道 (NMOS) 增强型(EMOS) P 沟道 (PMOS) MOSFET N 沟道 (NMOS) 耗尽型(DMOS) P 沟道 (PMOS) 　　N 沟道 MOS 管与 P 沟道 MOS 管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。第 3 章　场效应管 3.1.1　增强型 MOS 场效应管 q N 沟道 EMOSFET 结构示意图源极金属栅极衬底极漏极 U S G D 沟道电路符号 W 宽度 D + + + + SiO2 P N N P 绝缘层 U l G P 型硅 S P 衬底沟道长度第 3 章　场效应管 q N沟道 EMOS 管工作原理 Ø N 沟道 EMOS 管外部工作条件 • V 0 (保证栅漏 PN 结反偏)。 DS • U 接电路最低电位或与 S 极相连 (保证源衬 PN 结反偏)。 • V 0 (形成导电沟道) GS V DS - +