外电场作用下！#电子结构特性研究！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 %) !’ #’’( !’ ， ， ， QE@ 9%) PE 9 !’ ,GFERST #’’( （ ） !’’’1#=’0#’’(0%) !’ 0%(’$1’% ;LJ; .MN*OL; *OPOL; !#’’( LD+B 9 .DUV 9 *EG 9 外电场作用下!# 电子结构特性研究! ） ） ） ） ） ! ! ! ! # 徐国亮 刘玉芳 孙金锋 张现周 朱正和 !）（河南师范大学物理与信息工程学院，新乡 $%’’( ） # ）（四川大学原子与分子物理研究所，成都 )!’’)% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #’’) !# #’ #’’( # ! 在得到 分子基态稳定构型的基础上，选用 （，）方法优化得到了不同外电场（ — *+, -./)0)1!! 2 2 3 4 5 6 ’ 7’ ）下 分子基态的稳定电子结构，研究了外电场对 分子基态键长、能量、电荷分布、能级分布，能隙及 ’ 7’ 8 9 : 9 *+, *+, 红外光谱的影响规律 结果表明，分子结构与电场呈现强烈的依赖关系，且对电场的方向依赖呈现出不对称性 同 9 9 时在正向外电场逐渐增大的过程中， 分子能隙始终处于减小趋势，占据轨道的电子易于激发至空轨道，因而为 *+, 研究材料的电致发光机理奠定了一定的理论基础9 关键词： ，外电场，激发 *+, ： ， ， ， $% !#’; )#’ (=(’ !%’; ［ ］ 光激发特性! ，也研究了强外电场作用下二甲基硅 ［ ， ］ !7 引 言 酮和乙烯分子的结构和激发态!$ !% ，得到的理论结 果与实验规律相符合9 随着一氧化硅材料在光学镀膜材料、高硅氧玻 本文首先优化得到*+, 分子基态稳定构型，然 ［ ］ 璃材料等方面的广泛应用，对氧化硅体系各方面性