电路与模拟电子学课后习题详解 第6章.pdf

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电路与模拟电子学课后习题详解 第6章

华中农业大学 计算机系 编辑:徐进 2012.02 6.1 试说明晶体三极管参数的含义及互相之间的关系。 (1) 、 、 、 及其互相关系;   I I CBO CEO (2) 定义, 与 、 之间的关系; g g r m m be (3) 、 的含义,以及二者之间的关系。 f  f T I 解 (1) 表示共基极电流放大倍数,有 CN 。 表示共射极电流放大倍数,    I BN I 有 C 。 和 两种电流放大倍数均表示 的电流控制作用,它们的值主要    BJT I B 取决于基区、集电区和发射区的杂质浓度以及器件的几何结构。而BJT 内部载流 子的传输过程是一样的,所以 和 可换算。    1 I CBO 为发射极开路时,集电极于基极之间的反向饱和电流。 I CEO 为基极开路时,集电极与发射极之间的穿透电流。 I I 、 均由本征激发产生的少子形成,它们的大小直接反映管子的热稳定性。 CBO CEO (2)g S 被称为跨导(单位 ), 是一个电路单元的输出电流与该单元的输入 m 电压的比值。  I EQmA gm r 26mV be f  0.707 f (3) 表示共射极截止频率。当 值下降到 的 倍时的频率 定义为三  |  | 0  极管的共射极截止频率。 f f 表示特征频率。当 值下降到 时的频率 定义为三极管的特征频率。 T |  | 1 T 当f f T 时,有 f T 0 f  6.2 测得放大电路中4 只晶体管各级电位如题表6.2 所示,试判断管型(NPN 或PNP) 、材料(硅或锗),并确定B、E、C 极。 1 / 37 华中农业大学 计算机系 编辑:徐进

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