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第三章 场效应管及基本放大电路(去背景)
第三章 场效应管及其组成
的基本放大器
场效应管的结构、工作原理和它的伏安
特性。
由场效应管组成的放大器的分析方法以
及场效应管放大器的各项指标。
特点:
场效应管(FET)是利用输入电压在管内所产生的电
效应,来控制其输出电流,是电压控制器件。它只有
一种载流子(多数载流子)参与导电,故又称为单极型
晶体管。
i
C
i
B i
D
i i v
E C GS
BJT 电流控制器件 FET是电压控制器件
特点:
场效应管(FET)是利用输入电压在管内所产生的电
效应,来控制其输出电流,是电压控制器件。它只有
一种载流子(多数载流子)参与导电,故又称为单极型
晶体管。
9
场效应管的输入电阻很高,远远高于BJT,可达10 以
上
工艺简单,功耗很小,体积小、成本低。适用于大规
模集成。
分类:
N沟道 (电子作为导电载流子)
从参与导电的载
流子来划分
P沟道 (空穴作为导电载流子)
结型场效应管 JFET
(Junction type Field Effect Transister)
从结构来划分
金属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET
(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)
3.1 结型场效应管
1、N沟 JFET的结构示意图和电路符号
漏极
耗尽层
栅极
源极
P沟道JFET的结构示意图和电路符号
按照类似的方法,将基片换为P型半导体,把两边扩散的
半导体改为N型的,就制成了P沟道的结型场效应管。
2、结型场效应管的工作原理
N沟道JFET正常工作
时,g极与s极加负
压(v 0),d极与s
GS
vDS 极加正压(v 0)。
DS
导电的载流子为自
vGS
由电子,所以称为N
沟道JFET。
P N 均反偏,
没有横向电流
(1) V =0时V 对沟道的影响
DS GS
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