第三章-双极晶体管-打印版.pdf

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第三章-双极晶体管-打印版

第一节BJT 基础 第三章 双极晶体管 第二节BJT 特性(NPN) Bipolar Junction Transistor 第三节BJT的模型 第四节BJT的设计 第五节当代BJT结构 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦 第一节BJT 基础 发射区 收集区 一、BJT结构 埋层 基区 发 收 收 发 射 发射 射 基 集 收集 集 极 区 结 区 结 区 极 收集区 基 极 基区宽度远远小于少子扩散长度 基区宽度远远小于少子扩散长度 分为:NPN和PNP两种 分为:NPN和PNP两种 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦 放大 BE结 BC结 正向工作区 饱和 截止 反偏 反偏 放大(正向)正偏 反偏 饱和 正偏 正偏 反向 反偏 正偏 截止 反向工作区 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦 1 正常放大区的BJT BE结正偏 BC结反偏 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦

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