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第三章-双极晶体管-打印版
第一节BJT 基础
第三章 双极晶体管
第二节BJT 特性(NPN)
Bipolar Junction Transistor 第三节BJT的模型
第四节BJT的设计
第五节当代BJT结构
北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦
北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦
北京大学微电子学系刘晓彦 北京大学微电子学系刘晓彦
第一节BJT 基础
发射区 收集区
一、BJT结构 埋层
基区
发 收 收
发
射 发射 射 基 集 收集 集
极 区 结 区 结 区 极
收集区
基
极
基区宽度远远小于少子扩散长度
基区宽度远远小于少子扩散长度
分为:NPN和PNP两种
分为:NPN和PNP两种
北京大学微电子学系刘晓彦
北京大学微电子学系刘晓彦
北京大学微电子学系刘晓彦
放大
BE结 BC结
正向工作区 饱和
截止 反偏 反偏
放大(正向)正偏 反偏
饱和 正偏 正偏
反向 反偏 正偏
截止 反向工作区 北京大学微电子学系刘晓彦
北京大学微电子学系刘晓彦
北京大学微电子学系刘晓彦
1
正常放大区的BJT
BE结正偏 BC结反偏
北京大学微电子学系刘晓彦
北京大学微电子学系刘晓彦
北京大学微电子学系刘晓彦
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