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栅间表面外延层对4H-SiC功MESFET穿特性的改善理与-物理学报
Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 2 (2012) 027202
4H-SiC MESFET
*
†
( , , 710071 )
( 2011 6 14 ; 2011 9 27 )
p MESFET 4H-SiC MESFET
, .
, p (Ids)
(V ) . , MESFET
B
p-n , .
SiC MESFET , SiC MESFET . ,
, , p 0.12 µm, 5 × 1015 cm−3,
VB 33% Ids .
: SiC, MESFET, ,
PACS: 72.10.−d, 72.20.Fr, 73.43.Cd
1 [9],
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(SiC) ;
, , , [10],
[1]. , , SiC , ,
(MESFET) ,
, (MSG) [11], ,
[2−8]. [2],[7] , ,
4H-SiC MESFET . VLD Stengl
. [12]
MESFET . , SiC [13],
. ,
, SiC MESFET .
. : , ,
p SiC MESFET . p
(field-plate) (variation ,
of lateral doping, VLD) . , MESFET ,
* (:51308030201) .
† E-mail: s
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2012 Chinese Physical Society
027202-1
Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 2 (2012) 027202
. SiC ,N + ,µmax, µmin, Nref , α
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