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2017-10-04 发布于浙江
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IRF540N 沟道MOS 管特性 ‘Thrench’工艺低的导通内阻快速开关低热敏电阻综述使用沟渠工艺封装的N 通道增强型场效应功率晶体管应用： DC 到DC 转换器开关电源电视及电脑显示器电源 IRF540 中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。管脚管脚描述 1 Gate 2 Drain 3 Source Tab Drain 极限值系统绝对最大值依照限制值符号参数条件最小值最大值单位 V_DSS 漏源极电压 Tj= 25 ˚C to 175˚C - 100 V V_DGR 漏门极电压 Tj = 25 ˚C to 175˚C; - 100 V V_GS 门源极电压 RGS = 20 kΩ - ±20 V I_D 连续漏电流 - 23 A Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V - 16 A I_DM 脉冲漏电流 Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V - 92 A P_D 总功耗 Tmb = 25 ˚C - 100 W Tj，Tsig 操作点和 Tmb = 25 ˚C -55 175 ℃ 存储温度雪崩能量极限值符号参数条件最小值最大值单位非重复性雪 Unclamped inductive load,IAS 10A; - 230 mJ E AS 崩能量 tp 350 µs;Tjprior to avalanche 25˚C; 最大非重复 VDD ≤ 25 V; RGS 50 Ω;VGS 10V; - 23 A I AS 性雪崩电流 refer to fig:14 热敏电阻符号参数条件最小值典型值最大值单位安装底座交界 - - 1.5 K/W R thjmb 处的热阻周围环境热阻 SOT78封装，自由空间 - 60 - K/W R thja SOT404封装，PCB 上 - 50 - K/W 电特性 25℃ 除非另有说明符号参数条件最小值典型值最大值单位 V(BR)DSS 漏源极崩溃电压 V =0V； =0.25mAI 100 - - V GS D Tj -55˚C 89 - - V 门阀电压 VDS VGS ;ID 1mA 2 3 4 V V GS(TO) Tj 175˚