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2017-12-13 发布于浙江
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ZnO电子结构与光学特质的性原理研究

第38 卷第4 期河南科技学院学报年月 2010 12 Vol. 38 No. 4 Journal of Henan Institute of Science and Technology Dec. 2010 doi:10.3969/j.issn.1008-7516.2010.04.028 ZnO 电子结构与光学特质的第一性原理研究 1 1 2 任晓燕 ,刘亚明 ,胡博（1.河南科技学院,河南新乡453003 ；2.河南省计量科学研究院,河南郑州450008）采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,优化了ZnO 晶胞结构,从理论上获得了ZnO 摘要：电子结构和光学性质.通过对能带结构和态密度的分析,可知ZnO 是典型的直接带隙半导体.对光学响应函数的计算给出了带间跃迁占主导地位的ZnO 材料的介电函数、吸收曲线、反射率,理论结果与实验符合甚佳,为ZnO 光电材料的设计与应用提供了理论依据. 第一性原理;ZnO;电子结构;光学特性关键词： O649 ；O647 A 1008- 7516（2010）04- 0115- 04 中图分类号：文献标志码：文章编号： First-principles study of electronic structure and optical properties of ZnO 1 1 2 Ren Xiaoyan ,Liu Yaming ,Hu Bo （1.Henan Institute of Science and Technology,Xinxiang 453003,China ；2.Henan Institute of Metrology,Zhengzhou 450008,China） Abstract:Using a plane-wave ultrasoft pseudopotential technique based on the density functional theory,the structure of ZnO is optimized,the electronic structures and optical properties of ZnO bulk-material are calculated.Using the band structure and density of states （DOS） we got that ZnO is a semiconductor with a direct band gap.The dielectric functions, reflection spectra,absorption spectra of ZnO are analyzed in terms of the precisely calculated optical functions of ZnO.The theoretical results agree well with the experimental valu