金半接触与异质结.pdf

半导体器件物理 金半接触 半导体器件物理 1.肖特基势垒和欧姆接触 一、肖特基势垒 – 金属半导体接 触，在接触界 面附近形成的 势垒 • 理想情形 半导体器件物理 • 势垒高度 q q q Bn m • 半导体自建电压 V    V V bi m s Bn bi n • 半导体表面耗尽 区宽度 2 W s V V  bi qND • 半导体内单位面 积空间电荷 Q qN W SC D  • 单位面积耗尽层 C s 电容 W 半导体器件物理 • 一般情形 金属与半导 体之间有原 子尺度的界 面层； 界面有大量 界面态。 半导体器件物理 • 界面态电荷面密度QSS – 界面态密度D ，与能量无关 s Q qD (E  q  q ) SS S g Bn 0 • 半导体表面耗尽层电荷密度QSC Q 2q N V 2q N (  V ) SC S D bi S D Bn n • 界面层电势降落 QM     ( ) m Bn  i 半导体器件物理 • 势垒高度的一般表达式 E   C ( )  (1 C )( g  )  C C S  Bn 1 m 1 0 1 2 q