- 1、本文档共86页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
功率肖特基二极管的制造技术
功率肖特基二极管的制造技术
目录
一、概述
二、芯片结构与工艺
三、前道技术
四、后道技术
五、ESD防护
六、新的发展
功率肖特基二极管的制造技术 概述
1. 什么是肖特基二极管
肖特基二极管:英文缩写SBD (Schottky
Barrier Diode ),是以发明人肖特基博士
(W.Schottky )命名。
肖特基二极管:是以金属为正极,以N型半
导体为负极,利用接触面上形成的肖特基势
垒具有整流特性而制成的金属-半导体两端器
件。
功率肖特基二极管的制造技术 概述
2. 肖特基二极管的结构
+
+ 金属
绝缘
介质
N -
N +
-
-
结构示意图 电路符号
功率肖特基二极管的制造技术 概述
3. 肖特基势垒形成原理
N型半导体的功函数小于金属的功函数;
当N型半导体与金属接触时,N型半导体中的
电子将向金属一边转移;
结果就造成半导体表面空间电荷区中有正电
荷,在金属表面(界面)上有负电荷,从而
产生一个由N型半导体指向金属表面的电场。
空间电荷区
金属 N型硅
E
功率肖特基二极管的制造技术 概述
4.肖特基二极管的特点
正向压降低:起始电压和正向压降都比PN结
二极管低(约低0.2V )。
开关速度快:多子导电器件,反向恢复时间
只是肖特基势垒电容的充、放电时间,故开
关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适
合高频应用。
击穿电压低:肖特基反向势垒较薄,并且在
表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较
低。
功率肖特基二极管的制造技术 概述
5.SBD的应用领域
作为低压整流器件,应用于各种低压高
频开关电源,如稳压器、整流器、逆变
器、UPS等;
在非常高的频率下(如X波段、C波段、
S波段和Ku波段)用于检波和混频;
在高速逻辑电路中用作箝位。
功率肖特基二极管的制造技术 芯片结构与工艺
二、芯片结构与工艺
1.点接触
2.平面结构
您可能关注的文档
最近下载
- Unit4 Don't eat in class单元作业设计.docx
- “双减”背景下小学作业设计:小学英语六年级单元整体作业设计案例.pdf VIP
- 告别不良饮食习惯课件.ppt
- 三上语文同步学习单1-26课(13页26条).pdf
- 弥渡县牛街乡乡镇通三级路工程弃土场及施工便道工程临时用地土地复垦方案.doc VIP
- 2024年认证审核员基础知识考试题目及参考答案.docx
- 2007-2015年江苏科技大学《802材料力学》历年考研真题汇总.pdf
- 特殊儿童康复师(行为分析)考试题及答案_OCR.pdf
- 2024年度社工(初级)《社会工作实务(初级)》考试题及答案 .pdf VIP
- 2009年路虎发现3(Discovery 3) 4.0L车内照明说明与操作.pdf
文档评论(0)