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介绍 功率半导体应用 Philips 半导体 理解数据说明书：功率MOS 所有功率MOS制造厂商都会提供每种型号产品的详细 漏极电流值 (I ) 和总耗散功率都在这部分给出 。这 D 说明书。 说明书用来说明各种产品的性能。这对于 些数据必须认真对待因为在实际应用中数据说明书 在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些 的给定的条件很难达到 （见极限值部分）。在大 数 情况下，不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有 应用中，可用的dc电流要比快速参考说明中提供的值 微妙的区别，尤其在一些非重要参数例如切换时间。 要低。限于所用的散热装置，大 数工程师所能接受 另外，数据说明书所包含的信息不一定和应用相关 的典型功率消耗要小于20W(对于单独器件)。结温 (TJ) 联。因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要 通常给出的是150 C或者175 C。器件内部温度不 特别当心以 要对数据的解释有确切的了解。本文以 建议超过这个值。 BUK553-100A为例, 这是一种100 V逻辑电平 MOS管。 极限值 飞利浦的功率MOS数据说明书所包含的信息 这个表格给出六个参数的绝对最大值。器件可以在此 值运行但是不能超出这个值，一旦超出将会对器件发 数据说明书由以下八个部分组成： 生损坏。 *快速参考数据 漏源电压和漏栅电压有同样的值。给出的数据为可以加 *极限值 在各相应端所使用的最大电压。栅源电压, VGS, 给 *热阻 出在栅极和源极之间允许加的最大电压。一旦超过这 *静态特性 个电压值，即使在极短的时间内也会对栅极氧化层产 生永久性损害。给出的两个直流漏极电流值ID,一个 *动态特性 是在背板温度为25 C 时，另一个是在背板温度为 *反向二极管极限值 特性 100 C时。再且这些电流值不代表在运行过程中能够 *雪崩极限值 达到。当背板温度在所引述的值时，这些电流值将会 使得结温达到最大值 。因此最大电流降额作为背 *图形数据 板温度的函数，所引用的两个值曲线是降额曲线 上的两个点 （见图一）。 下面叙述每一部分 引述的第三个电流值是脉冲峰值, IDM. 功率MOS 器