ch2-2薄膜生长方法-2.pdf

现代半导体材料制备与分析技术 ch2-2 主讲：郭伟玲 现代半导体材料制备与分析技术 ch2-2 主讲：郭伟玲 薄膜生长方法 引言 薄膜生长方法 薄膜生长方法是获得薄膜的关键。薄膜材料的 质量和性能不仅依赖于薄膜材料的化学组成， 而且与薄膜材料的制备技术具有一定的关系。 Methods of Thin Film Growth 随着科学技术的发展和各学科之间的相互交叉, 相继出现了一些新的薄膜制备技术。这些薄膜 制备方法的出现, 不仅使薄膜的质量在很大程 度上得以改善, 而且为发展一些新型的薄膜材 料提供了必要的制备技术。 1 2 现代半导体材料制备与分析技术 ch2-2 主讲：郭伟玲 现代半导体材料制备与分析技术 ch2-2 主讲：郭伟玲 薄膜生长方法 引言 薄膜生长方法 引言 随着科学技术的发展和各学科之间的相互交叉, 相继出 物理气相沉积 现了一些新的薄膜制备技术。 物理气相沉积一般是指薄膜材料通过物理方法  以蒸发沉积为基础发展出了电子束蒸发沉积、分子束 输运到基体表面的镀膜方法。 外延薄膜生长(MBE) 、加速分子束外延生长(MBE) ；  以载能束与固体相互作用为基础, 先后出现了离子束溅 代表性技术：蒸发镀膜、溅射镀膜、电弧离子 射沉积、脉冲激光溅射沉积(PLD) 、强流离子束蒸发沉 镀膜、离子束辅助沉积、脉冲激光沉积、离子 积、离子束辅助沉积(IBAD) 、低能离子束沉积； 束沉积、团簇沉积等。  以等离子体技术为基础出现了等离子体增强化学气相 技术特点：沉积温度低、工作气压比较底 沉积(PECVD) 、磁控溅射镀膜； 3 4 现代半导体材料制备与分析技术 ch2-2 主讲：郭伟玲 现代半导体材料制备与分析技术 ch2-2 主讲：郭伟玲 薄膜生长方法 蒸发镀膜 薄膜生长方法 真空的要求  真空中残留气体分子有机会在薄膜成