ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究.PDF

第 42 卷第 8 期 红外 与激光 工程 2013 年 8 月 Vol.42 No.8 Infrared and Laser Engineering Aug.2013 ICP 刻蚀 InGaAs 的微观损伤机制研究 程 吉凤 1,2 ，朱耀 明 1,2 ，唐 恒敬 1,2 ，李 雪 1,2 ，邵 秀梅 1,2 ，李 淘 1,2 (1. 中国科学院上 海技术 物理研究所 传 感技术 国家重点实验室，上 海 200083 ； 2. 中国科学院上 海技术 物理研究所 红外成像材料与 器件 重点 实验室，上 海 200083) 摘 要： 为获得低损伤 、稳 定性好 的感应耦合等 离子体(ICP) 刻蚀 InGaAs 探 测器 台面成型 工艺 ，采用 Raman 光谱技术和 X 射 线衍射 (XRD)技术，初 步研究了 Cl /N 气氛刻蚀 InGaAs 的主要 损 伤机 制 ，确 2 2 定 以晶格缺 陷损伤 为主 ；并采用微 波反射 光电导 衰退( μ-PCD) 法对不 同处理 工 艺下表面 的缺 陷损伤 进行了表征和分析，结果表 明刻蚀表面 湿法腐蚀和硫化的方法 可在一 定程度上减小表面 的缺 陷损伤 和 断键 ，但是存在一 些深层 次的缺 陷。 关键词： 感应耦合等 离子体； 铟镓砷 ； Raman 光谱 ； XRD ； 刻蚀损伤 中图分类号： TN215 文献标志码： A 文章编号： 1007-2276(2013)08-2186-04 Microcosmic damage mechanism of inductively couple plasma etching for InGaAs Cheng Jifeng1,2, Zhu Yaoming1,2, Tang Hengjing1,2, Li Xue1,2, Shao Xiumei1,2, Li Tao1,2 (1. State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China; 2. Key Laboratoies of Infrared Imaging Mateials and Detectors, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) Abstract: In order to obtain a method for low damage and steaty mesa structures, the damage mechanism of InGaAs by Cl /N ICP etching was studied in this paper. The surfaces of InGaAs before and after 2 2 etching was investigated using Raman spectroscopy