图形转移工艺.doc

图形转移工艺 光化学图形转移是印制版制作过程中重要的工序之一。它是将照相底片上的电路图像通过光化学作用转移到设定的覆铜箔表面，形成一种具有抗蚀或抗电镀的掩膜图像。 概述 抗蚀图像用于“印制-蚀刻工艺”，即用保护性的抗蚀材料在覆铜箔层压板上形成正相图像，而未被抗蚀剂保护的铜箔，在随后的蚀刻工序中被除去，蚀刻后褪除抗蚀层，便获得裸铜的导电图形。其工艺流程如下： 涂覆湿膜 曝光 显影 下料 板面清理 形成正相图像 贴干膜 曝光 显影 蚀刻 褪膜 转入下道工序 板面清理 贴膜 曝光/显影 蚀刻/褪膜 抗电镀图像用于“图形电镀-蚀刻工艺”，即用保护性的抗蚀材料在已镀覆孔覆铜箔板上形成负相图像的铜表面，它经过清洁，粗化等处理后，在其表面镀铜及（或）电镀金属保护层（Sn/Pb,Sn,Au等），然后褪除抗蚀层进行蚀刻，便获得所需要的导电图形。其工艺流程如下： 涂湿膜 下料 钻孔 镀覆孔 预镀铜 板面清理 曝光 贴干膜 显影 形成负相图像 图形电镀铜 电镀抗蚀金属 褪膜 蚀刻 褪抗蚀金属 转入下道工序 板面清理处理 机械钻孔 镀覆孔/加厚镀铜 贴膜 蚀刻，褪Sn/Pb 电镀铜及Sn/Pb,褪膜 曝光/显影 抗蚀图像用于“掩蔽-蚀刻工艺”，即采用负相照相底片，使保护性的抗蚀材料（通常采用掩蔽型干膜）在已镀覆孔并经过全板电镀铜的覆铜箔基板上形成既盖住镀覆孔又产生正相图像，然后经蚀刻，去除掉未被抗蚀性掩蔽型干膜保护的铜，之后，再去除抗蚀层，便获得了所需要的裸铜导电图形。其工艺如下： 下料 钻孔 镀覆孔 全板电镀铜 贴掩蔽型干膜 曝光 转入下道工序 褪膜 蚀刻 形成掩孔的正相图像 显影 钻孔/镀覆孔/全板电镀铜 贴掩蔽型干膜 曝光/显影 蚀刻/褪膜 掩蔽-蚀刻工艺是塞孔（堵孔）工艺的延伸，它们的不同点主要区别是采用的材料存在不同，塞孔工艺所采用的材料是塞孔油墨，而掩蔽-蚀刻工艺所采用的材料是掩蔽型干膜。 在图形转移工艺中，最流行的工艺方法有两种：一种是网印法，另一种是光化学法。它们各有优点，但在分辨率（导线精度）技术上也有所限制。现就各种类型的工艺方法所达到的技术极限，见下表1. 表1 印制版电路板制作工艺几种类型的工艺技术极限 工艺方法 底片状态 蚀刻厚度(mm) 技术界线值（mm） 量化能力（mm） 油墨堵孔印刷法 正像 50~55 0.20 0.25~0.30 网印油墨法 正像 30~35 0.15 0.18~0.25 全板电镀法 负像 30~35 0.13 0.18~0.25 图形电镀法 负像 35 0.10 0.15~0.20 部分加成法 负像 10~15 0.08 0.13~0.18 全加成法 负像 10~15 0.15 0.20~0.25 注： 化学镀铜 全加成法 孔金属化/制作图形/蚀刻 化学沉铜 半加成法 制作图形/图形电镀铜 差蚀法 在本章内重点讲述光化学图像转移工艺。 干膜光致抗蚀剂（简称干膜） 在光化学图像转移工艺中，常规用的水溶性干膜光致抗蚀剂（简称干膜），近几年发展和应用的液态光敏抗蚀剂和ED膜材料。 2.1干膜光致抗蚀剂