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使用说明书AN-6076 供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的设计和使用准则 1. 引言 本文讲述了一种运用于功率型MOSFET 和IGBT 设计高 VB 性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率， UVLO 大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子 IN HO 工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中，开关功 R R S Q 耗主要取决于开关速度。因此，对于绝大部分本文阐述 的大功率开关应用，开关特性是非常重要的。自举式电 VS 源是一种使用最为广泛的，给高压栅极驱动集成电路 (IC) 的高端栅极驱动电路供电的方法。这种自举式电源 图1. 高端驱动集成电路的电平转换器 技术具有简单，且低成本的优点。但是，它也有缺点， 一是占空比受到自举电容刷新电荷所需时间的限制，二 2.2 自举式驱动电路工作原理 是当开关器件的源极接负电压时，会发生严重的问题。 自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的，其工 本文分析了最流行的自举电路解决方案；包括寄生参 作原理如下。当VS 降低到IC 电源电压VDD 或下拉至地 数，自举电阻和电容对浮动电源充电的影响。 时（低端开关导通，高端开关关断），电源VDD 通过自 举电阻，RBOOT ，和自举二极管，DBOOT ，对自举电容 2. 高速栅极驱动电路 CBOOT ，进行充电，如图2 所示。当VS 被高端开关上拉 2.1 自举栅极驱动技术 到一个较高电压时，由 VBS 对该自举电容充电，此时， VBS 电源浮动，自举二极管处于反向偏置，轨电压（低 本节重点讲在不同开关模式的功率转换应用中，功率型 端开关关断，高端开关导通）和IC 电源电压VDD ，