BaTiO3铁电薄膜在硅基片上的取向生长.pdfVIP

第35卷第5期 硅酸盐学报 V01．35，No．5 2007年5月 JOIⅡlNAI，OFTHECHINESECERA蛐CSoCIETY May，2007 BaTi03铁电薄膜在硅基片上的取向生长 魏贤华比，黄文2，接文静2，朱俊2 ce02缓冲层在硅基片上的生长行为。用x射线衍射测定B1[．0薄膜的结晶取向．并利用压电响应力显微镜观察了铁电薄膜的白发极化形成的铁电畴。 薄膜具有更大的面内极化。 关键词：钛酸钡；铁电薄膜；缓冲层； 取向生长；激光沉积 中图分类号：弧舵77 文献标识码： A 文章编号：0454_5“8(2007)05_0583_05 o酬匝N毋虹10NGRowTHoF FERRoELECTIUCIⅡ．MSoN1田哐SUBSTRA1哑SoFS几ICoN Ba砸03 聊砌胁u，胍椰耐，肥嘞孵，z删尉 ofM砷erialssci∞ce觚d (1．School Engi|确=fing，sou曲westu11iVe埽时ofsci即ce锄d 621010， Technology，Mi粕yang ofEle咖onjcFilIns锄d Sichu锄；2．S饿KcyLaboratory I眦呲dDeviccs，Univ郴蚵ofElec廿嘶c Sci∞ceand Technolog)，ofChiIla，Chengdu6l0054，China) first filmsw眦 Abs仃an：Bu断hy哪ofMgo(orCe02)wefedel’osited∞siliconsubs仃a_tes，柚dt11∞BaTi03(BTo)向晰le锄c fomed l嬲er therencction againbypulseddepositi∞．The伊owIhofM90，ce02bIlf衔laye璐w鹪姗河协同缸谬妇by hjgh一∞e唧 eIec心呲di强锨ion，and orientationofB1’ofilms X．ray the田stalline w鹬investig曲edby domaillsf．0I硎jnBTOfilms wefe01粥en，ed resIlltslhat byspontane讲坞polarizationbypiez‘response矗哪ⅪInicroscopy．Theshow BT0filnls witlldi伍：rent oricntationondi岱orem silic∞舳bs仃_ates．111eBT0films are甜own cfy比ll bu饪打laye娼of g陀wDrcf．c啪一 on锄曲red con．el砷edtotlletextI】]陀ch盯act耐stics．B1’ofilms 廿allyalongthe(001)od∞tationMg()，si(001)；theprcf酬dc黟∞is withtc翟ture wereobtajncdonbiaxialte袖lrcd characteristics∞the(001)and(011)嘶∞tationsM霉p髓dCe02(111)bu伍bflave埽。 fihns