Cu2O薄膜的电化学沉积和生长机理研究.pdfVIP

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42卷第3期人工晶体学报 v。1．42N0．3 兰Q!!生兰旦』Q旦坠些Q!墨兰盟堕婴gg幽坠望丛竺垦：兰Q!! 0薄膜的电化学沉积和生长机理研究 Cu2 赵文燕1’3，田传进1，汪长安1”，谢志鹏1”，杨海滨3，付乌有3 (1．景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院，景德镇333403；2．清华大学材料科学与工程系，北京100084； 3．吉林大学超硬材料国家重点实验室，长春130012) 摘要：采用酸性醋酸铜体系，在透明导电玻璃(ITO)上恒电位沉积Cu：O薄膜，研究阴极还原Cu：O的电化学行为，利用x射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)分析了Cll20薄膜的微观结构和表面形貌，通过控制电沉积时间，研究Cu：0薄膜的表面形貌变化规律，讨论了Cu：0的生长机理。关键词：Cu：0薄膜；电化学沉积；生长机理中图分类号：0484 文献标识码：A ontheGrowthMechanismof OFilmsElectrochemical Study Cu2 by Deposition ZHAO Hai．bin3，FU Wen．yanl，TIANChuan-jinl，WANGChang—anl”，XIEZhi-pen91”，YANG Wu-you3 ofMaterialScienceand (1．School Englneering，JingdezhenCeramicInstitute，Jingdezhen333403，Chma； ofMaterialsScienceand 2．Department Engineering，TsinghuaUniversity，Beijing100084，Chma； 3．State of Key SuperhardMaterials，Jilha 130012，China) Laboratory University，Changchun 29October 17 (Received 2012，acceptedJanuary2013) thinfilmwere on conductive constant Abstract：Cu20 depositedtransparent glass(ITO)preparedby acid acetate theelectrochemicalbehaviorofthecathode potentialdeposition，usingcopper system，and reductionOwasstudied．Themicrostructureandsurface of 0filmswere Cu2 morphologiesCu2 characterized fieldemission electron byX-raydiffraction(XRD)andscanning lawsof Ofilmssurface withelectrochemicaltimeincreaseswere Cu2