DKDP晶体生长亚稳区的影响因素.pdfVIP

第35卷第8期 硅酸盐学报 Vol-35，No．8 2007年8月 THECHINESE JOURNALOF CERAMICSOCIETY August，2007 DKDP晶体生长亚稳区的影响因素 常新安，臧和贵，陈学安，陈丹，杨鹏，涂衡，王金淑，周美玲 (北京工业大学材料科学与工程学院，北京100022) 摘要：从热力学和动力学角度研究与分析了磷酸二氘钾哔(Dz一沮；)2P04，DKDP】晶体生长体系稳定性的主要影响因素，包括氘含量、溶液纯度、饱和 温度、晶转(或搅拌)速度、过热温度与时间、生长均匀性、晶体受力情况、籽晶尺寸等。提出采用高纯原料、超细过滤(孔径为0．15“m)、高出饱和点 10℃过热20h，以及优质点状籽晶均匀生长等措施，可拓宽DI④P晶体生长亚稳区，从而提高晶体生长起始温度达50℃以上，在溶液过饱和度较大 的条件下可实现DKDP晶体全方位快速生长。 关键词：磷酸二氘钾晶体；溶液法晶体生长；溶液稳定性；生长亚稳区；快速生长 中图分类号：0781 文献标识码：A 文章编号：0454_5648(2007)O＆_107肚07 INDKDP INFLUENCEFACToRSoNM匝TASTABLEZoNE CRYSTALGRoWTH C泓NGXin’矾，ZANG Dan，嘲NG JinSh，zHoU Heglli，CHEN‰e锄，CHENPeng，TUHeng，删NG Meiting ofMat舐alsScience锄d (College Enginee血g，BeijingUnivers时ofTechnolo鼬Beijing100022，China) Abstract：Themam factorsof廿le systemof dideuterium influenciIlg s切bili锣ofgrowⅡl tc廿agonalpotassium in crystal，suchast11edeuteriumconte锄tsolution，廿1epurityof证lesolution，salⅥrationtemDer乏lnlre，rotativevelocityofcrystal’the ternperaturealld sh℃ssonthecrystal血)moutsideand吐lesizeoftheseed superheatillg period，协ehomogenei钾ofgmwm，me crystal， of have‘beenstIldiedaIld me t11emodynalllicsandkinetics．Itisindicatedmatmemetastablezoneof analvzed丘Dmviewpoint tetragonalDKDPcrystal田『owttlcanbewidenedandthestartiIlgtempeIa眦ofcrysta{l霉Towmcanberaisedto50℃bvusillghi曲 p埘tvrawmaterials。supeff．menessfil蛐2(boredi锄eterO．15“m)andsuperheatillgat1 O℃highermannlesatuIa60npoilltfor20 i11 at h，somerapid舯、枷1ofDⅪ)Pcrys协lalld沁ctionsc龃berealizedtIleconditionsofloweracid时andhi曲