GaAsGa2O3复合多晶薄膜的生长与光学性能研究.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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GaAsGa2O3复合多晶薄膜的生长与光学性能研究.pdf

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GaAsGa2O3复合多晶薄膜的生长与光学性能研究.pdf

38卷第3期人工晶体学报 v01．38No．3 11墅!堡鱼旦』Q堕垦型垒生Q!兰!!卫型!卫璺垦曼!曼!垒望』坚璺!：型薄膜的生长与光学性能研究 GaAs／Ga203复合多晶马淑芳，梁建，赵君芙，孙晓霞，许并社 (太原理工大学材料科学与工程学院．新材料界面与工程教育部重点实验室，太原030024) 摘要：采用热蒸发沉积法，以砷化镓和氧化镓粉末为原料，以氧化铟为催化剂，在800℃的氩气气氛中，在(100 镓基片表面上沉积生成GaAs／Ga20，薄膜。以配有成分分析的场发射扫描电镜(FKSEM)、x一射线衍射仪(XRI 致发光仪(PL)等测试方法对所得薄膜的成分、形貌、晶体结构和光学性能进行了表征。研究结果表明：薄膜以旁波浪形均匀地覆盖在砷化镓基片表面上，所得薄膜为Ga^s／Ga20，复合多晶薄膜，光致发光峰为强的红光发射；薄膜的生长机理为固．气·固过程，薄膜中砷元素含量的增加与氧化铟的作用有关。关键词：砷化镓；薄膜；光致发光；生长机理中图分类号：0484 文献标识码：A ontheGrowthand of Study OpficalPropertyPolycrystal Film GaAs／Ga203Compound MA Shu扣ng，HANG胁，ZHAO胁乒，SUNXiao—xia，XU成增-she InterfaceScienceand inAdvancedM址eriah0f of (KeyIJab0咖0f Engineering TaiyuanUniversityTechnolqff， 0f of MinimyEducation。TaiyuanUniversityTechnology。Taiyuan030024．China) (如蒯26如砌2008，∞删20Februray2009) film on hasbeen the thermal Abstract：Gags／Ga203compound grown GaAs(100)substrateby evaporation method arsenideand oxide 8,8raW depositionusings刮uium galliumpowder and ofthefilmwere photoluminescenceproperty 髓catalyst．Microstmctures，components，phase characterizedfieldemission眈粕electron energy by microscopy(FESEM)withdispersiveX—ray spectroscopy(EDS)，X—raydiffractometr