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Ge／Si量子点生长的研究进展／鲁植全等 · 117· Ge／Si量子点生长的研究进展’ 鲁植全，王茺，杨宇 (云南大学光电信息材料研究所，昆明650091) 摘要 回顾了近年来在Ge／Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子，点空间分布有序性、增 大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法，如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及 利用超薄si()2层辅助生长等，以及(k量子点的演变及组分变化。 关键词 Ge／si萤子点生长图形衬底 表面原子掺杂超薄si()2层Ge组分 中图分类号：0484．1 文献标识码：A ， in AdVancetheGrowthof Ge／Si Quant帅Dots LU Yu Zhiquan，WANGChong，YANG (Instituteof InformationMaterials，Yu咖n 650091) optoeIectronic University，Ku眦ing AbstmctRecent inthe of isreviewedVarious progressgro、vththe(琵／Siquant啪dots appmachescurrently to Ge／Si with andsmallsizearere“ewedindetail，such investigatedgrow quant吣dotshighuniforr妇ty，highdenSity as substrateassisted atomsonthesurfaceandultra-thinfilmsassisted Inaddi— pattemed growth，doping Si02 growt}L evolutionand oftheGedotsarealSowelldiscussecL tion，the composition wordb of(k／si atomsonsurface，ultra-thinsi()2 Key growth quantumdots，patteredsubstrate，doping fnms，Gecomposition 到了尺寸很小且高宽比为l：1的任量子点[111。虽然制作 0 引言 出了尺寸小、密度高、高宽比很大的Ge量子点，但其量子点 由于对载流子具有天然的三维限制效应，自组织生长的 应变Ge／si量子点在光电子器件和医疗影像等领域展现出在Si(100)衬底上生长出尺寸均匀的Ge量子点，但其量子点 巨大的应用潜力，因而促使Gt／Si量子点的制备成为当今材 料科学界的研究热点Llj。利用Ge／Si量子点作为有源层材用离子束溅射生长出了尺寸均匀、密度为1．85×10”cm．2的 料，已经制作出基于Ge／si量子点的高性能激光器、发光二Ge量子点【l3|。此外，人们采用了多种方法来克服这一困难。 极管(LED)、红外探测器、太阳电池等各种光电子器件【2_7】。例如，先在si或者Si02表面制作图形衬底，再生长Ge量子 然而，量子点的尺寸、形状、密度及组分分布都会对其光电性